[发明专利]MEMS器件的制造方法有效
| 申请号： | 201210085879.5 | 申请日： | 2012-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN102616731A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 黎坡 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mems 器件 制造 方法 | ||
1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底，所述衬底具有固定部件；
在所述衬底上形成图形化的牺牲层；
形成覆盖所述图形化的牺牲层和衬底的介质层；
图形化所述介质层，使位于所述图形化的牺牲层上的介质层中以及位于衬底上的介质层中各至少包括一个开口，以暴露部分图形化的牺牲层和衬底；
对暴露出的部分衬底进行腐蚀，至在所述衬底中形成水平方向宽度大于所述位于衬底上介质层中开口宽度的孔洞；
去除所述图形化的牺牲层；
在所述介质层上沉积覆盖材料，形成覆盖层，所述覆盖材料填满位于衬底上介质层中开口以及衬底中的孔洞。
2.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述牺牲层的材质为碳，在所述衬底上形成图形化的牺牲层包括：
在所述衬底上依次沉积牺牲层和光刻胶层；
图形化所述光刻胶层，形成光刻胶图形；
以所述光刻胶图形为掩模，图形化所述牺牲层，形成图形化的牺牲层。
3.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质层的材质为硅、锗或锗硅。
4.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述介质层包括覆盖所述图形化的牺牲层和衬底的第一介质层和位于第一介质层上的第二介质层，所述第一介质层的材质为硅、锗或锗硅，所述第二介质层的材质为氮氧化硅。
5.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述衬底的材质为二氧化硅。
6.如权利要求5所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，通过缓冲氢氟酸溶液对暴露出的部分衬底进行腐蚀。
7.如权利要求6所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述缓冲氢氟酸溶液中HF和NH4F的体积比在1∶5～1∶10范围内，所述缓冲氢氟酸溶液的温度在10～50摄氏度范围内，所述湿法清洗的时间在10～200秒范围内。
8.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，通过灰化工艺去除所述图形化的牺牲层。
9.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述覆盖层的材质为二氧化硅。
10.如权利要求1所述的MEMS器件的制造方法，其特征在于，所述覆盖层通过常压化学气相沉积工艺沉积。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海宏力半导体制造有限公司，未经上海宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210085879.5/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种车载音响智能音量调节系统
- 下一篇：联系人列表获取方法及装置
