[发明专利]光刻设备和器件制造方法有效
申请号: | 201210082022.8 | 申请日: | 2012-03-26 |
公开(公告)号: | CN102707574A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | H·沃格;J·G·高森;B·D·帕尔惠斯;F·J·J·范鲍克斯台尔;李靖高 | 申请(专利权)人: | ASML控股股份有限公司;ASML荷兰有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 吴敬莲 |
地址: | 荷兰维*** | 国省代码: | 荷兰;NL |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光刻 设备 器件 制造 方法 | ||
1.一种光刻设备,包括:
支撑件,构造成支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束,所述支撑件包括具有第一流限制表面的第一平坦元件;
投影系统,配置成将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;
第二平坦元件,包括面对所述第一流限制表面的第二流限制表面;和
支撑件驱动器,用于驱动所述支撑件相对于所述第二平坦元件移动,
其中所述第一流限制表面、所述第二流限制表面或所述第一流限制表面和第二流限制表面两者包括在所述第一流限制表面和第二流限制表面之间的突起和/或凹陷,
其中所述支撑件驱动器配置成相对于所述第二平坦元件沿着特定方向线性地驱动所述支撑件,和
其中在所述第一流限制表面和/或第二流限制表面上的突起和/或凹陷布置成提供流阻,在垂直于所述流的第一和/或第二流限制表面的每一单位宽度上的所述流阻对平行于所述特定方向的流比对垂直于所述特定方向的流更低。
2.根据权利要求1所述的光刻设备,其中所述第一和第二流限制表面以及在所述第一和第二流限制表面中的任一个或两者上的所述突起和/或凹陷的全部布置成使得在所述第一流限制表面的任何部分不与所述第二流限制表面的任何部分接触的情况下,所述第一流限制表面能够沿着所述特定方向相对于所述第二流限制表面移动。
3.根据权利要求1或2所述的光刻设备,其中所述第一和第二流限制表面每个形成封闭的或半封闭的环路,在使用中所述辐射束将穿过所述环路。
4.根据权利要求3所述的光刻设备,其中在所述第一和/或第二流限制表面上的突起和/或凹陷布置成提供流阻,在垂直于所述流的所述第一和/或第二流限制表面的每一单位宽度上的所述流阻,对于被引导入或引导出所述封闭的环路或半封闭的环路的流,在大致平行于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的部分上比在大致垂直于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的部分上更高。
5.根据权利要求3或4的光刻设备,其中所述第一和/或第二流限制表面包括在基本上平行于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的部分上比在基本上垂直于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的部分上密度更高的突起和/或凹陷。
6.根据权利要求3-5中任一项所述的光刻设备,其中所述第一和/或第二流限制表面基本上不包括在大致垂直于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的一侧上的突起和/或凹陷。
7.根据权利要求3-6中任一项所述的光刻设备,其中所述第一和/或第二流限制表面包括细长凹陷,对于所述流限制表面中的每一个,未设置细长凹陷的区域基本上在所述相同的平面中;和所述细长凹陷形成在基本上平行于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的一侧和在基本上垂直于所述特定方向的所述封闭的或半封闭的环路的一侧中。
8.一种光刻设备,包括:
支撑件,构造成支撑图案形成装置,所述图案形成装置能够将图案在辐射束的横截面中赋予辐射束以形成图案化的辐射束,所述支撑件包括具有第一流限制表面的第一平坦元件;
投影系统,配置成将所述图案化的辐射束投影到衬底的目标部分上;
第二平坦元件,包括面对所述第一流限制表面的第二流限制表面;
支撑件驱动器,用于驱动所述支撑件相对于所述第二平坦元件移动;和
气体供给系统,配置成供给气体至所述图案形成装置的区域中的内部气体环境,
其中所述光刻设备配置成使得从所述内部气体环境流出的气流穿过所述第一和第二流限制表面之间的间隙,所述第一和第二流限制表面布置成将所述气流的至少一部分引导到在使用期间产生热量的所述支撑件驱动器的部件上。
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