[发明专利]一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体器件的制造方法，特别涉及一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法。

背景技术

如图1所示的截面图，目前在制造闪存等半导体器件时，一般需要在中间过程中形成如下的堆叠多晶硅结构，包含衬底1，在衬底1上从下至上依次生成有第一氧化物层2、第一多晶硅层3、第二氧化物层4、第二多晶硅层5和氮化硅层6。在先前的工艺中，在所述氮化硅层6上已经形成有开口8，将所述氮化硅层6在这一开口8的两侧分隔成两个部分；并且，在所述开口8的两侧，即在分隔后氮化硅层6的两侧，分别形成有正硅酸乙酯（TEOS）材料的间隔层，且所述间隔层具有D型的侧壁结构。

之后，如图2所示，在现有的制造方法中，具体还包含以下的步骤：

步骤a、以所述间隔层7为掩膜，刻蚀开口8位置的第二多晶硅层5，从而在开口8两侧形成两个相互分隔的控制栅51、52；

步骤c、刻蚀开口8位置的第二氧化物层4，使其在开口8两侧形成两个分隔开的氧化物部分；

步骤d、刻蚀开口8位置的第一多晶硅层3，从而在开口8两侧形成两个相互分隔的浮栅31、32。

即是说，至此，经过上述各个步骤刻蚀后形成的开口8，在第一氧化物层2之上，将第一多晶硅层3，第二氧化物层4、第二多晶硅层5、侧壁有间隔层7的氮化硅层6，各自分成了两个相互隔开的部分。对这一结构的半导体器件，通过其他后续的工艺程序来制造闪存器件。

然而，在上述的现有制作方法中，当进行到刻蚀第一多晶硅层3的步骤d时，往往会将位于其上方的第二多晶硅层5边缘轮廓的一部分也刻蚀掉，一般就会在开口8两侧、两个控制栅51、52的侧壁位置上，形成如图1中箭头所示的弓型凹陷；所述的弓型凹陷会进一步造成控制栅和浮栅的桥接短路，从而影响器件性能。

发明内容

本发明的目的是提供一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，在堆叠多晶硅并刻蚀形成控制栅以后，生成覆盖开口侧壁的牺牲层，通过该牺牲层在后续刻蚀形成浮栅时，对控制栅的侧壁进行保护，防止在控制栅的侧壁位置形成弓型凹陷，从而在堆叠多晶硅刻蚀时候能够在控制栅到浮栅的侧壁位置获得更为垂直的边缘轮廓，避免两层多晶硅的桥接短路。

为了到达上述目的，本发明的技术方案是提供一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，用于对以下结构的堆叠多晶硅进行刻蚀轮廓控制，所述堆叠多晶硅中包含：

作为衬底的硅片；在衬底上从下至上依次生成的第一氧化物层、第一多晶硅层、第二氧化物层、第二多晶硅层和氮化硅层；所述氮化硅层上形成有一开口，将所述氮化硅层在这一开口的两侧分隔成两个部分；在所述开口的两侧位置，分隔后所述氮化硅层的侧壁，还分别形成有间隔层；

所述方法包含以下步骤：

步骤a、去除所述第二多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的控制栅；

步骤b、在所述开口的两侧分别形成牺牲层，所述牺牲层覆盖了所述控制栅的侧壁位置；

步骤c、去除所述第二氧化物层暴露在开口底部的部分，保留所述牺牲层；

步骤d、去除所述第一多晶硅层暴露在开口底部的部分，从而在该开口两侧形成两个相互分隔的浮栅；再去除开口两侧的牺牲层。

步骤d之后，所述第一氧化物层之上，开口的每一侧从下至上为所述第一多晶硅层，第二氧化物层、第二多晶硅层和侧壁设间隔层的氮化硅层；

并且，所述开口两侧具有垂直的边缘轮廓；即，所述第二多晶硅层、第二氧化物层、第一多晶硅层，各自具有垂直的边缘轮廓。

步骤b中，所述牺牲层是通入氧气形成的二氧化硅薄膜。

所述氧气通入的流量大于等于30 sccm，通入的时间大于等于10秒。

所述间隔层是形成在所述氮化硅层侧壁的正硅酸乙酯。

与现有技术相比，本发明所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，其优点在于：本发明中，由于设置了牺牲层，在刻蚀下方第一多晶硅层形成浮栅的过程中，使控制栅的侧壁受到保护，保证了堆叠多晶硅结构的开口两侧、尤其是控制栅具有垂直的边缘轮廓。

附图说明

图1是现有技术中对堆叠多晶硅进行刻蚀后半导体器件截面的示意图；

图2是现有技术中对堆叠多晶硅进行刻蚀的流程图；

图3是本发明中对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法的流程图；

图4~图8是本发明所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法中各个主要步骤的示意图。

具体实施方式