[发明专利]一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法

权利要求书

1.一种对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，用于对以下结构的堆叠多晶硅进行刻蚀轮廓控制，所述堆叠多晶硅中包含：

作为衬底（1）的硅片；在衬底（1）上从下至上依次生成的第一氧化物层（2）、第一多晶硅层（3）、第二氧化物层（4）、第二多晶硅层（5）和氮化硅层（6）；所述氮化硅层（6）上形成有一开口（8），将所述氮化硅层（6）在这一开口（8）的两侧分隔成两个部分；在所述开口（8）的两侧位置，分隔后所述氮化硅层（6）的侧壁，还分别形成有间隔层（7）；

其特征在于，所述方法包含以下步骤：

步骤a、去除所述第二多晶硅层（5）暴露在开口（8）底部的部分，从而在该开口（8）两侧形成两个相互分隔的控制栅（51、52）；

步骤b、在所述开口（8）的两侧分别形成牺牲层（9），所述牺牲层（9）覆盖了所述控制栅（51、52）的侧壁位置；

步骤c、去除所述第二氧化物层（4）暴露在开口（8）底部的部分，保留所述牺牲层（9）；

步骤d、去除所述第一多晶硅层（3）暴露在开口（8）底部的部分，从而在该开口（8）两侧形成两个相互分隔的浮栅（31、32）；再去除开口（8）两侧的牺牲层（9）。

2.如权利要求1所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，其特征在于，

步骤d之后，所述第一氧化物层（2）之上，所述开口（8）的每一侧从下至上为所述第一多晶硅层（3），第二氧化物层（4）、第二多晶硅层（5）和侧壁设间隔层（7）的氮化硅层（6）；

并且，所述开口（8）两侧具有垂直的边缘轮廓；即，所述第二多晶硅层（5）、第二氧化物层（4）、第一多晶硅层（3），各自具有垂直的边缘轮廓。

3.如权利要求1或2所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，其特征在于，步骤b中，所述牺牲层（9）是通入氧气形成的二氧化硅薄膜。

4.如权利要求3所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，其特征在于，

所述氧气通入的流量大于等于30 sccm，通入的时间大于等于10秒。

5.如权利要求1所述对堆叠多晶硅刻蚀轮廓进行控制的方法，其特征在于，

所述间隔层（7）是形成在所述氮化硅层（6）侧壁的正硅酸乙酯。