[发明专利]BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法无效
| 申请号： | 201210081512.6 | 申请日： | 2012-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN102610506A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘建华 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/8249 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | bcd 工艺 栅极 氧化 刻蚀 方法 | ||
1.一种BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一衬底，所述衬底包括并列的高压器件区和低压器件区；
在所述衬底的高压器件区和低压器件区上形成高压器件区的栅氧化层和低压器件区的栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层厚度大于低压器件区的栅氧化层；
在所述高压器件区的栅氧化层和低压器件区的栅氧化层上沉积多晶硅；
刻蚀多晶硅形成所述高压器件区和低压器件区的栅极，停留在所述低压器件区的栅氧化层上；
以所述高压器件区的栅极为掩膜，刻蚀去除所述高压器件区除栅极下方以外的栅氧化层；
以所述高压器件区和低压器件区的栅极作为掩膜，形成高压器件区和低压器件区的源/漏区。
2.根据权利要求1所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于：所述高压器件区的栅氧化层和低压器件区的栅氧化层的形成包括以下步骤：
在所述衬底的高压器件区和低压器件区上热氧化第一栅氧化层；
刻蚀去除低压器件区上的第一栅氧化层；
在低压器件区和高压器件区上热氧化第二栅氧化层，所述高压器件区的栅氧化层包括第一栅氧化层和第二栅氧化层，所述低压器件区的栅氧化层包括第二栅氧化层。
3.根据权利要求1或2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于：所述高压器件区的栅氧化层的厚度大于1000埃。
4.根据权利要求1或2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于：所述低压器件区的栅氧化层的厚度小于50埃。
5.根据权利要求2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于，在所述衬底中形成有埋层，在所述衬底上表面形成有外延层，热氧化所述外延层以在所述外延层中形成所述第一栅氧化层。
6.根据权利要求2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于，在所述衬底上热氧化第一栅氧化层步骤之前还包括：
在所述衬底的高压器件区形成高压器件的阱区；
在所述阱区中形成高压器件HVPMOS的漏极漂移区和高压器件LDNMOS的沟道区；
在所述衬底中形成用于隔离器件的隔离结构。
7.根据权利要求6所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于：所述隔离结构为浅沟槽隔离结构。
8.根据权利要求2所述的BCD工艺中双栅极氧化层的刻蚀方法，其特征在于：在热氧化形成所述第二栅氧化层前还包括在所述衬底的低压器件区中形成低压器件的阱区。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
