[发明专利]可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种蓝宝石基板的制造方法，尤指一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法。

背景技术

蓝宝石(Sapphire)的成份为氧化铝(Al₂O₃)，为现今制备氮化镓(GaN)磊晶发光层的主要基板材质，而氮化镓则可进一步用来制作超高亮度蓝光、绿光、蓝绿光、白光LED等电子组件。

蓝宝石基板的制造上，是由蓝宝石单晶晶棒切割而成，必须经过圆边及多道研磨、抛光的加工过程方能应用，而该些过程会影响到基板的翘曲度，此翘曲度的质量控制与后段进行黄光蚀刻及磊晶制程的良率息息相关。

由于蓝宝石基板在进行抛光之前，须先经由人员以上蜡贴合做处理，而若人员无法轻易判定加工面，将可能错面贴合而造成加工良率下降。此所谓的加工面，即是指在针对单面抛光或是双面抛光的制程，对于不同翘曲度的表面有不同的加工取舍。

基于蓝宝石基板的特性，其有不同轴向的蓝宝石基板的区别，分别是C轴向、M轴向及R轴向。其中C轴向为目前最普遍使用的生产方式，主要是因为蓝宝石晶体沿C轴生长的技术成熟、成本也较低；然而，C轴是氮化镓的极性轴，会使氮化镓有源层量子阱中出现很强的内建电场，导致发光效率降低。M轴向和R轴向则为非极性或是半极性，因此C轴向蓝宝石基板的极化场引起的负面效应即可得到程度不一的改善。

而由于蓝宝石基板轴向的不同，在制程上也因为加工面的判定而受到影响。更确切而言，C轴向及M轴蓝宝石基板的晶格位置呈对称，R轴向蓝宝石基板的晶格位置则是呈不对称状，且R轴向蓝宝石基板平边的位置为C轴向蓝宝石基板的逆时针45°处，因此若错误分辨正反面而翻面加工的话，由于特性轴向会发生方向翻转，因而会影响后段的磊晶参数与膜质品质。

另在进行抛光的程序中，在单面抛光的部分，R轴向晶圆如果误判加工面，特性轴向变异将造成磊晶参数与膜质变异，进而降低磊晶的良率。C轴向及M轴向晶圆则可能因误判加工面，而造成良率损失，例如分不清于何面上蜡。另于双面抛光的部分，基于两面的抛光参数不同以及翘曲度不同，如果进入研磨抛光制程前没有先行定义出正反面的话，在人员判定或是加工过程中，将可能有误判或是错面加工的情况产生。

故本发明提供了一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法，让工作人员迅速且准确的分辨出蓝宝石基板的正反面，以提升制程的良率。

发明内容

本发明的主要目的，是提供一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法，其是于蓝宝石基板双面边缘的接面处透过研磨而制做出不同的导角，使原本完全相同的两面在不影响有效面积的状态下得以透过触摸或是肉眼判断正反面。

本发明的次要目的，是提供一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法，其是改变蓝宝石基板两侧圆弧面的曲率半径，使有效面积在不受影响的状态下，正反面得以透过触摸或是肉眼判断而被分辨。

本发明的再一目的，是提供一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法，其是让工作人员能迅速且准确的分辨出蓝宝石基板的正反面，以在后续上蜡抛光时不会因误判而降低良率。

为了达到上述的目的，本发明揭示了一种可辨识正反面的蓝宝石基板的制造方法，其步骤是包含：切割一蓝宝石晶棒，获得复数个蓝宝石基板，该些蓝宝石基板具有上下相对的一第一面以及一第二面；以及研磨该第一面或该第二面与该蓝宝石基板一侧面的接面处，形成至少一导角；其中，于该接面处所形成的该导角具有一导角角度或一导角长度。此外，也可研磨该蓝宝石基板的侧面，该蓝宝石基板的侧面具有一第一弧面、第二弧面以及一平面；透过研磨该第一弧面或该第二弧面与该平面的接面处，使该第一弧面与该第二弧面与该平面的接面处具有相异的曲率半径。

附图说明

图1：其为本发明的一较佳实施例的步骤流程图；

图2：其为本发明的一较佳实施例的俯视图；

图3：其为本发明的一较佳实施例的立体图；

图4：其为本发明的一较佳实施例的剖视图；

图5：其为本发明的一较佳实施例的剖视图

图6：其为本发明的一较佳实施例的剖视图

图7：其为本发明的另一较佳实施例的步骤流程图；以及

图8：其为本发明的另一较佳实施例的俯视图。

【图号对照说明】

1蓝宝石基板        11第一面

12第二面           13侧面

131弧面            132平面

2接面处            3导角