[发明专利]显示装置和电子设备

说明书

技术领域

本发明涉及优选用于有机电致发光(EL)显示装置和液晶显示装置的显示装置，并涉及包括该显示装置的电子设备。

背景技术

在有源驱动液晶显示装置或有机电致发光显示装置中，薄膜晶体管被用作驱动元件，且电容保持元件保持与用于记录视频图像的信号电压相对应的电荷。如果在薄膜晶体管的栅电极与其源或漏电极的交叉区域中寄生电容增加，则信号电压可能变化，导致图像质量劣化。

特别地，如果有机电致发光显示装置中的寄生电容大，则需要增加电容保持元件的电容，导致像素布局中配线等的占据率的增加。这导致配线间短路等的概率增加，并导致成品率降低。

对于具有包括诸如氧化锌(ZnO)和氧化铟镓锌(IGZO)的氧化物半导体的沟道的薄膜晶体管，过去，试图减小在栅电极和源电极或漏电极的交叉区域中形成的寄生电容。

例如，日本未审查专利申请公开第2007-220817号和J.Park等人的“Self-Aligned Top-Gate Amorphous Gallium Indium Zinc Oxide Thin Film Transistors”，Applied Physics Letters，American Institute of Physics，2008，93，053501每一个均描述了自对准顶栅薄膜晶体管，其中栅电极和栅极绝缘膜以相同的形状形成在氧化物半导体薄膜层的沟道区域上，然后将氧化物半导体薄膜层的未被栅电极和栅极绝缘膜覆盖的区域的电阻减小，以形成源/漏区。R.Hayashi等人的“Improved Amorphous In-Ga-Zn-O TFTs”，SID 08 DIGEST，2008，42.1，pp.621-624描述了自对准底栅薄膜晶体管，其中通过以栅电极作为掩膜背面曝光而在氧化物半导体膜中形成源极和漏极。

发明内容

如上所述与包括氧化物半导体的晶体管一起设置在基板上的电容保持元件，期望保持抑制图像质量的降低所需的电容。

期望提供抑制图像质量降低的一种显示装置，以及包括该显示装置的电子设备。

根据本发明的实施方式的第一显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括第一导电膜、包含氧化物半导体的第一半导体层、绝缘膜和第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

在根据本发明的实施方式的第一显示装置中，与基板上的显示元件和晶体管一起设置的电容保持元件，形成为包含氧化物半导体的第一半导体层和绝缘膜夹在第一导电膜和第二导电膜之间的堆叠结构。这抑制了电容保持元件的电容根据所施加的电压而变化。

根据本发明的实施方式的第二显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括包含氧化物半导体的第一半导体层、第一导电膜、绝缘膜和第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

在根据本发明的实施方式的第二显示装置中，与基板上的显示元件和晶体管一起设置的电容保持元件，形成为绝缘膜夹在第一导电膜和第二导电膜之间的堆叠结构。这抑制了电容保持元件的电容根据所施加的电压而变化。

根据本发明的实施方式的第一电子设备包括显示装置，该显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括第一导电膜、包含氧化物半导体的第一半导体层、绝缘膜和第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

根据本发明的实施方式的第二电子设备包括显示装置，该显示装置包括：基板；显示元件；晶体管，作为显示元件的驱动元件；以及电容保持元件，保持对应于视频信号的电荷，并且以靠近基板的顺序包括包含氧化物半导体的第一半导体层、第一导电膜、绝缘膜和第二导电膜。显示元件、晶体管和电容保持元件设置在基板上。

依照根据本发明的实施方式的第一显示装置和第一电子设备，与显示元件和晶体管一起设置在基板上的电容保持元件，形成为包含氧化物半导体的第一半导体层和绝缘膜夹在第一导电膜和第二导电膜之间的堆叠结构。这抑制了电容保持元件的电容根据所施加的电压而变化，从而保持了所需的电容。结果，抑制了图像质量的降低。