[发明专利]显示装置和电子设备有效

专利信息
申请号: 201210080135.4 申请日: 2012-03-23
公开(公告)号: CN102738405A 公开(公告)日: 2012-10-17
发明(设计)人: 诸沢成浩 申请(专利权)人: 索尼公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L27/32;G02F1/133
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 余刚;吴孟秋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 显示装置 电子设备
【权利要求书】:

1.一种显示装置,包括:

基板;

显示元件;

晶体管,作为所述显示元件的驱动元件;以及

电容保持元件,保持对应于视频信号的电荷,并且以靠近所述基板的顺序包括第一导电膜、包含氧化物半导体的第一半导体层、绝缘膜以及第二导电膜,其中,

所述显示元件、所述晶体管和所述电容保持元件设置在所述基板上。

2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述晶体管以靠近所述基板的顺序包括:

第二半导体层,包含氧化物半导体,

栅极绝缘膜,设置在所述第二半导体层的选择性区域上,

栅电极,设置在所述栅极绝缘膜上,以及

源/漏电极层,电连接到所述第二半导体层。

3.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一导电膜设置在所述基板的选择性区域上,

所述第一半导体层和所述第二半导体层由相同材料一体地形成在所述基板上,

所述绝缘膜由与所述栅极绝缘膜的材料相同的材料形成,并且

所述第二导电膜由与所述栅电极的材料相同的材料形成。

4.根据权利要求2所述的显示装置,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层在不与所述电容保持元件和所述栅电极这二者相对的区域中具有电阻比其他区域低的低电阻区,并且

所述源/漏电极层电连接到所述低电阻区。

5.根据权利要求4所述的显示装置,其中,高电阻膜被设置为覆盖所述电容保持元件、所述栅电极以及所述第一半导体层和所述第二半导体层的低电阻区。

6.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示元件是有机电致发光元件。

7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述显示元件是液晶显示元件。

8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述第一半导体层从所述晶体管延伸,并且所述第一导电膜、所述绝缘膜和所述第二导电膜设置在与所述晶体管分离的选择性区域中。

9.一种显示装置,包括:

基板;

显示元件;

晶体管,作为所述显示元件的驱动元件;以及

电容保持元件,保持对应于视频信号的电荷,并且以靠近所述基板的顺序包括包含氧化物半导体的第一半导体层、第一导电膜、绝缘膜以及第二导电膜,其中

所述显示元件、所述晶体管和所述电容保持元件设置在所述基板上。

10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述晶体管以靠近所述基板的顺序包括:

第二半导体层,包含氧化物半导体,

栅极绝缘膜,设置在所述第二半导体层的选择性区域上,

栅电极,设置在所述栅极绝缘膜上,以及

源/漏电极层,电连接到所述第二半导体层。

11.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层由相同材料一体地形成在所述基板上,

所述绝缘膜由与所述栅极绝缘膜的材料相同的材料形成,并且

所述第二导电膜由与所述栅电极的材料相同的材料形成。

12.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一导电膜设置在所述第一半导体层的选择性区域上,并且由包括铝(Al)、钼(Mo)和钛(Ti)中的一种的单层膜或包括铝(Al)、钼(Mo)和钛(Ti)中的两种以上的堆叠膜构成,并且

所述第一半导体层和所述第二半导体层均包括锌铟锡氧化物(ITZO)、铟锌氧化物(IZO)、铟镓氧化物(IGO)和铟镓锌氧化物(IGZO)中的一种。

13.根据权利要求10所述的显示装置,其中,所述第一半导体层和所述第二半导体层在不与所述电容保持元件和所述栅电极这二者相对的区域中具有电阻比其他区域低的低电阻区,并且

所述源/漏电极层电连接到所述低电阻区。

14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,高电阻膜被设置为覆盖所述电容保持元件、所述栅电极以及所述第一半导体层和所述第二半导体层的低电阻区。

15.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述显示元件是有机电致发光元件。

16.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述显示元件是液晶显示元件。

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