[发明专利]一种在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法

权利要求书

1.一种在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其具体步骤是：

(1)电池前期工艺：选用衬底为织构化的单晶或多晶硅片的基板，并进行扩散制备p-n结；

(2)离子表面轰击：在高真空环境下充入氩气，用离子源对衬底进行表面处理；

(3)薄膜沉积：在基板被加热的情况下，充入反应气体，采用中频孪生靶磁控溅射，在衬底上沉积出氮化硅薄膜于衬底上；

(4)高温烧结：印刷电池后对电池进行高温烧结。

2.根据权利要求1所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述步骤(3)的薄膜沉积步骤中氮化硅薄膜为含有氢原子的氮化硅薄膜。

3.根据权利要求2所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述反应气体为氮气与氢气组成的混合气体。

4.根据权利要求2所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述薄膜沉积步骤中沉积出含有氢原子的氮化硅薄膜的厚度为40～120nm，折射率为1.90～2.20，且氮化硅薄膜中含有原子比8％～20％的氢原子。

5.根据权利要求1所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述步骤(3)的薄膜沉积步骤中氮化硅薄膜为二氧化硅/含氢的氮化硅的双层薄膜。

6.根据权利要求5所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：在基板被加热的情况下，先充入氧气，采用中频孪生靶磁控溅射，沉积出二氧化硅薄膜于硅衬底上；然后再重新充入氮气与氢气，在二氧化硅薄膜上沉积含氢的氮化硅薄膜，以形成二氧化硅/含氢的氮化硅的双层薄膜。

7.根据权利要求6所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：沉积出的二氧化硅薄膜厚度为5～25nm；沉积出的二氧化硅薄膜折射率为1.35～1.65；沉积出的含氢氮化硅薄膜厚度为40～150nm；沉积出的含氢氮化硅薄膜折射率为1.85～2.35；沉积出的含氢氮化硅薄膜中含有原子比10％～20％的氢原子。

8.根据权利要求5所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述离子源与衬底互相平行设置。

9.根据权利要求1所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述基板加热温度为150～300℃。

10.根据权利要求1所述的在晶体硅太阳电池前表面制备钝化减反射膜的方法，其特征在于：所述步骤(4)中高温烧结时温度为400～900℃。