[发明专利]光刻胶的去除方法

权利要求书

1.一种光刻胶的去除方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底表面依次具有刻蚀阻挡层、低k介质层和图案化的掩膜层，其中掩膜层至少包括有机光刻胶层，所述低k介质层内具有暴露出刻蚀阻挡层的开口，所述开口暴露出的刻蚀阻挡层表面具有含氟的聚合物层；

采用第一光刻胶去除工艺去除部分有机光刻胶层的同时将含氟的聚合物层中的氟释放；

采用第二光刻胶去除工艺去除剩余的有机光刻胶层，所述第二光刻胶去除工艺的射频频率小于第一光刻胶的射频频率。

2.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第一光刻胶去除工艺参数为：射频频率大于40兆赫兹，刻蚀气体为CO₂与CO的混合气体，其中CO₂与CO的流量比为1∶4至4∶1。

3.如权利要求2所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第一光刻胶去除工艺参数为：等离子体刻蚀腔体压力小于100毫托，射频功率小于500瓦。

4.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第二光刻胶去除工艺参数为：射频频率为13至27兆赫兹，刻蚀气体为CO₂或CO₂与CO的混合气体。

5.如权利要求4所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述第二光刻胶去除工艺参数为：等离子体刻蚀腔体压力小于100毫托，刻蚀气体为CO₂或CO₂与CO的混合气体。

6.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述掩膜层为硬掩膜层、底部抗反射层和有机光刻胶层的堆叠结构。

7.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述刻蚀阻挡层材料为氮化硅、碳化硅或氮碳化硅。

8.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述低k介质层材料为k≤3.9的材料。

9.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述开口为沟槽或通孔。

10.如权利要求1所述光刻胶的去除方法，其特征在于，还包括：在第二光刻胶去除工艺之后，对所述基底执行过去除光刻胶工艺。

11.如权利要求10所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述过去除光刻胶工艺参数为：射频频率小于13兆赫兹，刻蚀气体为CO₂或CO₂与CO的混合气体。

12.如权利要求11所述光刻胶的去除方法，其特征在于，所述过去除光刻胶工艺参数为：等离子体刻蚀腔体压力小于200毫托，射频功率小于1000瓦。