[发明专利]一种Sb-Te-Ti相变存储材料及Ti-Sb2Te相变存储材料

权利要求书

1.一种用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，为在Sb-Te相变存储材料中掺入Ti而成，其化学通式为Sb_xTe_yTi_100-x-y，其中0＜x＜80，0＜y＜100-x。

2.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，x的取值范围为45≤x≤72，y的取值范围为5≤y≤45。

3.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Sb-Te-Ti相变存储材料采用电脉冲作用实现电阻率的可逆转变。

4.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Sb-Te-Ti相变存储材料采用激光脉冲作用实现光学反射率的可逆转变。

5.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Sb-Te-Ti相变存储材料为Sb-Te-Ti相变薄膜材料。

6.如权利要求1所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Sb-Te相变存储材料为Sb₂Te相变存储材料，在Sb₂Te相变存储材料中掺入Ti后获得的Sb-Te-Ti相变存储材料为Ti-Sb₂Te相变存储材料，所述化学通式Sb_xTe_yTi_100-x-y中，Ti的原子百分含量小于50％。

7.如权利要求6所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Ti-Sb₂Te相变存储材料中，Ti的原子百分含量在2％-20％之间。

8.如权利要求6或7所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Ti-Sb₂Te相变存储材料中，Ti原子替代Sb原子的位置，且没有产生分相。

9.如权利要求6或7所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Ti-Sb₂Te相变存储材料的高阻态比低阻态的电阻值至少大1倍。

10.如权利要求6或7所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料，其特征在于，所述Ti-Sb₂Te相变存储材料通过控制掺入Ti的含量来控制所述相变存储材料的结晶温度、熔点或电阻率。

11.如权利要求1-10任一所述的用于相变存储器的Sb-Te-Ti相变存储材料的制备方法，包括如下步骤：按照化学通式Sb_xTe_yTi_100-x-y中Sb和Te的配比采用Sb_xTe_y合金靶以及Ti靶共溅射获得所述Sb-Te-Ti相变存储材料。

12.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所述共溅射的溅射条件为：在共溅射过程中同时通入纯度为99.999％以上的Ar气，Sb_xTe_y合金靶采用射频电源，Ti靶采用直流电源。

13.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，共溅射时，所述Sb_xTe_y合金靶起辉后，再打开Ti靶电源。

14.如权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述射频电源功率为25W，所述直流电源功率为15W；所述共溅射的时间为15-50分钟。

15.如权利要求11所述的制备方法，其特征在于，所获得的Sb-Te-Ti相变存储材料为相变薄膜材料，其薄膜的厚度为100nm-250nm。

16.一种基于权利要求1-10任一所述的Sb-Te-Ti相变存储材料的相变存储器单元。

17.如权利要求16所述的相变存储器单元，其特征在于，所述Sb-Te-Ti相变存储材料为Ti-Sb₂Te相变存储材料。