[发明专利]双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法

权利要求书

1.双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1)在硅基板上刻蚀沟槽，刻蚀完成后，保留沟槽顶部的刻蚀阻挡层；

2)淀积氮化硅；

3)回刻氮化硅，除去沟槽侧壁以外区域的氮化硅；

4)刻蚀形成底部沟槽区域；

5)第一次局部硅氧化，在底部沟槽区域生长热氧化层；

6)沉积第一层多晶硅并回刻；

7)第二次局部硅氧化，在第一层多晶硅表面生长热氧化层；

8)刻蚀掉沟槽侧壁的氮化硅，按照常规工艺完成双层多晶栅沟槽型MOS晶体管的制备。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤1)，所述刻蚀阻挡层为二氧化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤2)，采用化学气相沉积方法淀积氮化硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，步骤2)，所述氮化硅的厚度为

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤3)，采用干法刻蚀方法回刻氮化硅。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤4)，所述底部沟槽区域的深度为1～2μm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热氧化层的厚度为

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤6)，回刻深度为步骤1)的沟槽刻蚀深度。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤8)，采用湿法刻蚀方法刻蚀沟槽侧壁的氮化硅。