[发明专利]一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法有效

专利信息
申请号: 201210074452.5 申请日: 2012-03-20
公开(公告)号: CN102662852A 公开(公告)日: 2012-09-12
发明(设计)人: 马建辉;王知学;刘源杨;李研强 申请(专利权)人: 山东省科学院自动化研究所
主分类号: G06F12/06 分类号: G06F12/06
代理公司: 济南圣达知识产权代理有限公司 37221 代理人: 张勇
地址: 250014 山*** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 利用 mcu 内部 数据 flash 存储 非易失性 方法
【权利要求书】:

1.一种利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:将所有非易失性数据条目组织在一个分区中,将数据Flash的若干扇区划分为多个数据分区,不同数据分区存储数据在不同历史时间的拷贝;当前数据分区存储最新的数据拷贝;在数据读操作进行时,计算最新数据拷贝的Flash存储位置,直接读取该地址;在数据写操作进行时,判断数据写入位置是否已经被擦除,如果写入位置未擦除,将数据写入下一个分区,同时将当前分区中的其他数据复制到下一个分区;如果写入位置已经擦除,直接将数据写入当前分区中。

2.如权利要求1所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:所述数据分区大小和个数取值均为2的幂次方,且分区个数不大于256,分区大小*分区个数等于扇区大小*扇区个数,扇区个数至少为2,以满足实现掉电恢复功能的需要。

3.如权利要求1所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:所述数据分区设置有状态字,大小为单字节,位置在分区起始地址,标识分区数据的存储历史时间;数据分区状态字在每次分区擦除后执行的第一次写入操作后更新,依次递增且不等于0xff,当递增到0xff时,设置状态字为0。

4.如权利要求3所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:当存在取值为0的分区状态字时,小于分区数的最大状态字代表的分区为最新数据分区,当不存在取值为0的分区状态字时,最大状态字代表的分区为最新数据分区。

5.如权利要求1所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:将所有非易失性数据条目组织在一个分区中是指数据分区中数据条目的组织是以固定序列的形式进行的,每个数据条目都有固定的偏移地址,数据条目地址=分区起始地址+偏移地址。

6.如权利要求1或5所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:所述的数据条目格式为data id+data,data id,它为单字节大小,唯一标识该数据,data为数据内容,长度由所表示的含义决定。

7.如权利要求6所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:所述数据条目中的data id,其取值区间为[0,254]的整型数据,不仅标识数据,同时其地址做为数据条目的状态字存储地址,表示该数据条目在当前分区中的地址是否已经被擦除。

8.如权利要求1所述的利用MCU内部数据Flash存储非易失性数据的方法,其特征在于:所述数据写入位置是否已经被擦除是通过数据条目中的数据状态字进行判断的,首先读取该数据条目的状态字,如果状态字等于0xff,则数据写入地址已经被擦除,如果不等于0xff,则数据写入地址未被擦除。

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