[发明专利]鳍式晶体管的形成方法有效
| 申请号： | 201210071314.1 | 申请日： | 2012-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN103311111A | 公开（公告）日： | 2013-09-18 |
| 发明（设计）人： | 洪中山 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 形成 方法 | ||
1.一种鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底表面形成有多个鳍部，所述鳍部顶部表面具有阻挡层；
在基底表面形成覆盖所述鳍部的第一覆盖层；
平坦化所述第一覆盖层直至暴露出阻挡层；
在所述阻挡层和所述第一覆盖层表面、采用沉积工艺形成第二覆盖层；
刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层，形成伪栅。
2.如权利要求1所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一覆盖层的材料与第二覆盖层的材料相同或不同。
3.如权利要求2所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第一覆盖层材料为掺杂多晶硅、未掺杂多晶硅、SiGe、非晶硅、或碳。
4.如权利要求2所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述第二覆盖层材料为掺杂多晶硅、未掺杂多晶硅、SiGe、非晶硅、或碳。
5.如权利要求1所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述阻挡层材料为氮化硅、氮氧化硅、或二氧化硅。
6.如权利要求1所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：对所述形成有阻挡层的鳍部进行退火。
7.如权利要求6所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述退火工艺采用H2作为退火气体，退火温度为900℃至1100℃。
8.如权利要求1所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，还包括：在所述第二覆盖层表面形成伪栅硬掩膜层，以所述伪栅硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二覆盖层和第一覆盖层，形成伪栅。
9.如权利要求8所述鳍式晶体管的形成方法，其特征在于，所述伪栅硬掩膜层材料为氮化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
