[发明专利]碳化硅合成方法有效

专利信息
申请号: 201210068556.5 申请日: 2012-03-15
公开(公告)号: CN102633260A 公开(公告)日: 2012-08-15
发明(设计)人: 赵建立;由远洪;孙福龙;白周义;牛景林;焦松强 申请(专利权)人: 新疆豫丰光伏材料科技有限公司
主分类号: C01B31/36 分类号: C01B31/36
代理公司: 石河子恒智专利代理事务所 65102 代理人: 李伯勤
地址: 832012 新疆维吾尔自*** 国省代码: 新疆;65
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摘要:
搜索关键词: 碳化硅 合成 方法
【权利要求书】:

1.一种碳化硅合成方法,包括装填料、通电加热、恒功率保持、自然冷却和出料工序,所述装填料过程包含:在炉体内炉底部分装入包含石油焦和石英砂的混合料,然后在两个端部的石墨电极之间的炉心部位装入导电用石墨粉,再在导电石墨粉周围依次装填上反应料和保温料,其特征在于:至少在装填料工序的装入导电用石墨粉前,在炉体加热腔一侧的炉头石墨电极上涂抹一层石墨粉浆,然后再进行装填料工序的装入导电用石墨粉。

2.根据权利要求1所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述的石墨粉浆为:石墨粉与水搅拌均匀成浆状,并且石墨粉与水的配比为:1重量份石墨粉加入1~3重量份水,涂抹厚度为2~30mm。

3.根据权利要求2所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述的石墨粉浆所用的石墨粉为与炉心部位所装入的导电用石墨粉相同。

4.根据权利要求3所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述石墨粉浆中的石墨粉为粉碎成≤1mm的粉末。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述石墨粉浆中加入0.3~0.6份的糊精和0.05~0.2份的炭黑。

6.根据权利要求1、2、3或4所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述通电加热工序为:在大于1小时的时间内逐步提升功率至额定值,然后再进入恒功率保持。

7.根据权利要求5所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述通电加热工序为:在大于1小时的时间内逐步提升功率至额定值,然后再进入恒功率保持。

8.根据权利要求6所述的碳化硅合成方法,其特征在于:上述的逐步提升功率至额定值的通电加热时间为:1.5~2.5小时。

9.根据权利要求1、2、3或4所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述的石墨粉浆在装填料12h之前进行涂抹。

10.根据权利要求5所述的碳化硅合成方法,其特征在于:所述的石墨粉浆在装填料12h之前进行涂抹。

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