[发明专利]一种静电吸盘

说明书

技术领域

本发明涉及一种静电吸盘，特别涉及一种静电吸盘内部电极到静电吸盘上表面距离不同的静电吸盘。

背景技术

半导体工艺件的边缘效应是困扰半导体产业的一个问题。所谓半导体工艺件的边缘效应是指在等离子体处理过程中，由于等离子体受电场控制，而上下两极边缘处的场强会受外界影响，总有一部分电场线弯曲，而导致电场边缘部分场强不均，进而导致该部分的等离子体浓度不均匀。在该种情况下，生产出的半导体工艺件周围也存在一圈处理不均匀的区域。

由于半导体工艺件是圆形的，因此愈外圈面积愈大，边缘部分的各个工艺环节的均一性不佳将导致成品率显著下降。在普遍采用300mm制程的今天，半导体工艺件边缘效应带来的损失更为巨大。

因此，业内需要能够简单有效地改善边缘效应，提高制程均一性。

发明内容

本发明的目的是提供一种静电吸盘，能够补偿静电吸盘边缘的蚀刻/沉积率，从而保证静电吸盘的有效性。

为了实现以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：

本发明提供一种静电吸盘，所述静电吸盘包括一上表面，所述静电吸盘内部设有一电极，所述电极到所述静电吸盘上表面的距离不同，所述电极同时连接直流电源和射频功率源。

所述电极分为若干个环形电极，所述的若干个环形电极呈阶梯状分布在静电吸盘中，所述若干个环形电极依次电气相连。 

所述的若干个环形电极同心设置。

所述的若干个环形电极的直径互不相同。

所述的若干个环形电极距静电吸盘上表面的距离随着环形电极的直径的增大而减小。

所述的若干个环形电极距静电吸盘上表面的距离随着环形电极的直径的增大而增大。

所述的静电吸盘内部电极呈锥形，所述锥形电极距静电吸盘上表面的距离随着锥形电极的直径的增大而减小。

所述的静电吸盘内部电极呈锥形，所述锥形电极距静电吸盘上表面的距离随着锥形电极的直径的增大而增大。

所述的静电吸盘包含若干层介电层，所述的每个环形电极分别设在各不同的介电层中，所述的各层介电层的介质材料互不相同。

所述的每层介电层的高度不大于0.5mm。

本发明与现有技术相比，通过设置静电吸盘内部电极到所述静电吸盘上表面距离不同来调节所述静电吸盘上方的等离子体浓度均匀，从而能够补偿静电吸盘边缘的蚀刻/沉积率，实现代加工基片的均匀处理。

附图说明

图1为本发明所述静电吸盘所在的等离子体处理室的结构示意图；

图2为本发明一种设有阶梯电极的静电吸盘的实施例之一的结构示意图；

图3为本发明一种设有阶梯电极的静电吸盘的实施例之二的结构示意图；

图4为本发明一种设有阶梯电极的静电吸盘的实施例之三的结构示意图；

图5为本发明一种设有锥形电极的静电吸盘的实施例之四的结构示意图；

图6为本发明一种设有锥形电极的静电吸盘的实施例之四的结构示意图。

具体实施方式

以下结合附图，通过详细说明一个较佳的具体实施例，对本发明做进一步阐述。

如图1~4所示，一种设有阶梯电极的静电吸盘10，其上支撑带处理基片11包含：若干个环形电极1，所述的若干个环形电极1呈阶梯状分布在静电吸盘10中，该若干个环形电极1依次电气相连，可以通过电路将相邻的环形电极1连接在一起，也可以通过金属片等其他方式，使得环形电极1依次电气相连。在本发明的各个实施例中，该若干个环形电极1同心设置且直径互不相同，因而该若干个环形电极1就构成了从静电吸盘的10中心向边缘延伸的阶梯状布局。

实施例之一：

如图1、图2所示，所述的若干个环形电极1距静电吸盘10上表面的距离随着环形电极1的直径的增大而减小，因而，若干个环形电极1就形成了中心低、边缘高的阶梯状布局，该若干个环形电极1依次电气相连，并通过电路往静电吸盘10中引入高压直流电源（如700V）和射频电流。

由于距离静电吸盘10上表面的距离越大，则每个环形电极1与静电吸盘10上表面的那段柱状部分的介电材料的厚度越大，环形电极1与静电吸盘10上表面之间的等效电容也就越小，高压直流电源4和射频功率源5通过的损失就越少，产生的等离子浓度较低，相应的刻蚀率就越低。