[发明专利]一种LED发光器件及其制作方法无效
申请号: | 201210062152.5 | 申请日: | 2012-03-09 |
公开(公告)号: | CN102593332A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 周玉刚;赖燃兴;姜志荣;许朝军;黄智聪;朱幸文 | 申请(专利权)人: | 晶科电子(广州)有限公司 |
主分类号: | H01L33/58 | 分类号: | H01L33/58;H01L33/00 |
代理公司: | 广州新诺专利商标事务所有限公司 44100 | 代理人: | 罗毅萍 |
地址: | 511458 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 led 发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种LED发光器件,其特征在于,包括至少一LED芯片和承载所述LED芯片的基板,以及设置于所述基板之上并且容纳所述LED芯片的一第一透镜,所述第一透镜采用旋涂式玻璃材料制作。
2.如权利要求1所述的LED发光器件,其特征在于,所述LED芯片包括一氮化镓N型层,设于一外延层上;一量子阱,设于所述氮化镓N型层上;一氮化镓P型层,设于所述量子阱上,其上还设有至少一贯穿所述氮化镓P型层和量子阱的刻蚀通孔,其底部露出所述氮化镓N型层;一P欧姆接触层,设于所述氮化镓P型层上;一N欧姆接触层,设于所述刻蚀通孔中露出的氮化镓N型层上;一N键合层,设于所述N欧姆接触层上,与该N欧姆接触层电连接;以及一P键合层,设于所述P欧姆接触层上,与该P欧姆接触层电连接;所述基板的上表面设有相互绝缘的P金属层与N金属层,所述P欧姆接触层和N欧姆接触层分别与所述P金属层和N金属层电连接。
3.如权利要求2所述的LED发光器件,其特征在于,所述LED芯片上的P键合层和N键合层位于LED芯片的底面,并且分别与所述P金属层与N金属层键合连接。
4.如权利要求2所述的LED发光器件,其特征在于,所述LED芯片上的P键合层和N键合层位于该LED芯片的顶面,并且分别通过金线与所述P金属层与N金属层键合连接。
5.如权利要求3或4所述的LED发光器件,其特征在于,还包括第二透镜,所述第二透镜设置于所述LED芯片的上方,与所述第一透镜连接;所述第二透镜的顶部为半球形、倒梯形、内凹型、锥形、圆台形、棱台形、圆柱形、棱柱形、棱锥形、多面体、旋转体的一种或几种的组合。
6.如权利要求5所述的LED发光器件,其特征在于,还包括一荧光粉层,所述荧光粉层包裹在所述LED芯片侧面和顶面。
7.如权利要求3或4所述的LED发光器件,其特征在于,还包括一第二透镜,所述第二透镜设于所述基板之上,底面设有一凹陷区,该凹陷区收容所述LED芯片;所述第二透镜的顶部为半球形、倒梯形、内凹型、锥形、圆台形、棱台形、圆柱形、棱柱形、棱锥形、多面体、旋转体的一种或几种的组合。
8.如权利要求7所述的LED发光器件,其特征在于,还包括一荧光粉层,所述荧光粉层设于所述第二透镜的凹陷区侧面和顶面或者包裹在所述LED芯片的侧面和顶面。
9.一种LED发光器件的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)制作LED芯片和基板,并将LED芯片邦定到该基板之上;
2)制作第一透镜:在所述基板和芯片上通过旋涂式、印刷式或者类点胶式涂覆旋涂式玻璃材料。
10.如权利要求9所述的制作方法,其特征在于,步骤2)之后还包括以下步骤:
1)制作第二透镜,将该第二透镜覆盖于所述第一透镜之上;
2)将该LED器件置于固化炉中将所述第一透镜固化成型。
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