[发明专利]带有保护薄膜的切割薄膜

说明书

技术领域

本发明涉及带有保护薄膜的切割薄膜。

背景技术

以往，半导体晶片在预先以大面积制作后，切割(切断分离)为芯片状并移送到扩张工序。切割薄膜在该切割时用于固定半导体晶片。

固定到切割薄膜上的半导体晶片在切割为芯片状并为了将各芯片之间分离而在扩张环上沿面方向同样地扩张后，进行拾取。

另外，以往提出了在切割工序中胶粘保持半导体晶片并且也提供安装工序所需的芯片固着用胶粘剂层的切割薄膜(例如，参考专利文献1)。

上述的切割薄膜，按照半导体晶片的大小冲裁为圆形等，以规定的间隔设置到长尺寸的保护薄膜上，使用晶片安装装置等从保护薄膜上将切割薄膜剥离并且粘贴到半导体晶片上。此时，晶片安装装置，当薄膜检测用光的透射率变化时，即光的透射率从仅仅保护薄膜的透射率变为保护薄膜与切割薄膜的合计透射率时，判断检测到切割薄膜，将该位置作为切割薄膜的位置的基准，以不引起位置偏移的方式将半导体晶片粘贴到切割薄膜上。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭60-57642号公报

发明内容

但是，以往的晶片安装装置存在如下问题：不能检测到保护薄膜上的切割薄膜，对于未检测到的切割薄膜而言，薄膜原样被移送而未被使用，此时产生停机时间。另外，存在如下问题：由于检测延迟，在产生位置偏移的状态下半导体晶片被粘贴到切割薄膜上。

本发明鉴于所述问题而创立，其目的在于提供可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上的带有保护薄膜的切割薄膜。

本申请发明人为了解决所述现有问题对带有保护薄膜的切割薄膜进行了研究。结果发现，通过采用下述的构成，可以缩短停机时间并且可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上，从而完成了本发明。

即，本发明的带有保护膜的切割薄膜，通过将切割薄膜与保护薄膜层叠而得到，其特征在于，所述保护薄膜对波长600～700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600～700nm的透射率之差为20％以上。

根据所述构成，所述保护薄膜对波长600～700nm的透射率与所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜对波长600～700nm的透射率之差为20％以上，因此检测薄膜检测用光的传感器，能够可靠地检测从仅仅保护薄膜的透射率到包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率的变化。结果，可以防止未检测到的切割薄膜被移送而未被使用，可以减少其间的停机时间。另外，可以防止由于检测延迟而在产生位置偏移的状态下半导体晶片被粘贴到切割薄膜上的情况，可以在不引起位置偏移的情况下将切割薄膜粘贴到半导体晶片上。

所述构成中，优选：所述切割薄膜具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层，所述基材进行了压花处理。所述基材上实施有压花处理时，可以更可靠地使仅仅保护薄膜的透射率与包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率之差为20％以上。

所述构成中，优选：所述切割薄膜具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层，所述基材被着色。所述基材被着色时，可以更可靠地使仅仅保护薄膜的透射率与包括切割薄膜的带有保护薄膜的切割薄膜的透射率之差为20％以上。

所述构成中，优选：所述切割薄膜的薄膜检测用光最先透射的部分中所述带有保护薄膜的切割薄膜的透射率为0％～70％。所述透射率为0％～70％时，易于使所述透射率的差为20％以上。

所述构成中，优选：所述保护薄膜的透射率为75％～100％。所述透射率为75％～100％时，易于使所述透射率的差为20％以上。

所述构成中，优选：在所述切割薄膜的所述粘合剂层上，层叠有芯片接合薄膜。在切割薄膜的粘合剂层上层叠有芯片接合薄膜时，可以省略粘贴芯片接合薄膜的工序，可以提高制造效率。

附图说明

图1(a)是表示本发明的一个实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜的示意剖视图，(b)为其俯视图。

图2是表示图1(a)和图1(b)所示的带有保护薄膜的切割薄膜的一部分的示意剖视图。

图3是表示另一实施方式的带有保护薄膜的切割薄膜的示意剖视图。

图4(a)、(b)是用于说明本实施方式的半导体装置的制造方法的示意剖视图。

图5是表示通过图1和图2所示的带有保护薄膜的切割薄膜中的胶粘剂层安装半导体芯片的一例的示意剖视图。

标号说明

1基材