[发明专利]太阳能电池及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池及其制造方法，特别涉及一种硅晶太阳能电池及其制造方法。

背景技术

参阅图1，为一种已知太阳能电池1的制造流程示意图，在此先说明该太阳能电池1的结构(请参考图1的最后一道流程)，主要包含：晶片11、介电层12、多个形成于该晶片11的局部部位的背电场结构(local back surface field，简称LBSF)13，以及背电极14。

其中，该晶片11用于将光能转换成电能，并包括p型硅基板、形成于该基板上的n型射极层，以及抗反射膜等膜层。该介电层12形成于该晶片11的背面111上，用于降低载流子在该晶片11表面复合(recombination)的速率，提升电池的效率。所述介电层12具有多个贯穿的穿孔121。所述背电场结构13对应所述穿孔121而且形成于该背面111处，背电场结构13为p型半导体材料，且载流子浓度大于该p型硅基板，利用其电场作用阻止电子朝该背面111的方向移动，使电子被收集于该晶片11的n型射极层，以提升转换效率。而该背电极14位于该介电层12的表面且局部伸入介电层12的穿孔121，进而与该晶片11的背面111接触形成电连接，通过背电极14将该晶片11产生的电能传输到外部。

该太阳能电池1在制作上，先在该晶片11的背面111形成一层完整的介电层12，并将该介电层12的局部蚀刻移除而形成所述穿孔121，再利用网印方式将铝浆涂布在该介电层12表面，接着烧结该晶片11，铝浆材料就干燥而形成该背电极14，且该铝浆材料会扩散进入该晶片11中，使该晶片11的局部形成由铝-硅混合材料构成的背电场结构13。

由于铝浆中的玻璃成分(glass frit)的含量高低会影响铝浆的侵蚀能力，在一定的限度下，当铝浆的侵蚀能力越强时，铝与基板中的硅的混合效果越好，烧结形成的背电场结构13的厚度越厚、品质越佳。但因为铝浆材料也会侵蚀该介电层12而造成损害，因而影响介电层12的品质及功能，所以在考虑该介电层12的品质的情况下，铝浆材料的侵蚀性也不能过高，如此则导致该背电场结构13的厚度不足，从而影响电池的开路电压、转换效率等特性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能提升开路电压及转换效率等特性的太阳能电池及其制造方法。

本发明太阳能电池，包含：用于将光能转换成电能并包括相反的入光面与背面的光电转换单元、邻近该背面而设置并包括多个穿孔的介电层，以及多个分别对应所述穿孔而且位于该光电转换单元的背面处的背电场结构，该太阳能电池还包含含有玻璃材料的第一导电胶层，以及含有玻璃材料的第二导电胶层，该第一导电胶层包括多个分别位于所述穿孔并接触所述背电场结构的导电接触部，该第二导电胶层披覆于该介电层上，且该第二导电胶层的玻璃含量比例小于该第一导电胶层的玻璃含量比例。

本发明所述的太阳能电池，该第一导电胶层及该第二导电胶层都是由金属浆料网印形成。

本发明所述的太阳能电池，所述金属浆料为铝浆。

本发明所述的太阳能电池，该第一导电胶层还包括多个分别从所述导电接触部突出至穿孔外且彼此间隔的导电突部。

本发明所述的太阳能电池，该第二导电胶层为铝导电胶层，该第二导电胶层的厚度为20μm～30μm。

本发明太阳能电池的制造方法，包含：步骤A：在光电转换单元的背面上形成具有多个穿孔的介电层；步骤B：在该介电层上且对应于所述穿孔的部位涂布第一浆料；该太阳能电池的制造方法还包含：步骤C：在该介电层及该第一浆料上涂布第二浆料，且该第二浆料的玻璃含量比例小于该第一浆料的玻璃含量比例；步骤D：进行烧结以使该第一浆料形成第一导电胶层，该第二浆料形成第二导电胶层，以及形成多个分别对应所述穿孔而且位于该光电转换单元的背面处的背电场结构。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，该第一浆料包含2wt％(重量百分比)～7wt％的玻璃材料，该第二浆料包含1wt％～5wt％的玻璃材料。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，该第二浆料为铝浆，在步骤D中，进行烧结后所形成的该第二导电胶层的厚度为20μm～30μm。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，所述第一浆料与第二浆料是利用网印方式而涂布的。

本发明所述的太阳能电池的制造方法，步骤B在涂布该第一浆料后还进行烘烤步骤，使该第一浆料干燥定型。