[发明专利]IC屏蔽膜层及其制程方法

权利要求书

1.一种IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，包含下列步骤：

提供一治具；

在该治具上涂布一可剥胶；

在该可剥胶上设置一IC，且该可剥胶附着在该IC上的一表面；以及

对该IC进行一镀膜作业以形成一屏敝膜层。

2.如权利要求1所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，还包含下列步骤：

将该可剥胶固化，以增加该IC与该治具彼此的接合力。

3.如权利要求1所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该治具还包含一治具下板及一治具上板，该治具下板的表面具有多个导柱，该治具上板的表面具有贯通的多个导孔，该方法还包含下列步骤：

通过该多个导孔与该多个导柱活动性地对应卡合，使该治具上板结合于该治具下板之上。

4.如权利要求3所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该可剥胶是涂布于该治具上板上。

5.如权利要求4所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该IC设置在该可剥胶上时，该IC的该表面是对应接合在该些导柱与该些导孔相结合后的其中之一上。

6.如权利要求5所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，其还包含下列步骤：

将该治具下板移除，使该些导柱与该些导孔分离，以使得该IC的该表面所附着的该可剥胶的部分随该些导柱的移除而剥离。

7.如权利要求3所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该治具下板设有至少一定位柱，该治具上板设有至少一定位孔，该治具下板与该治具上板结合时，该定位柱相对应卡合于该定位孔中。

8.如权利要求1所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该屏蔽膜层是由一高分子材料所溅镀形成。

9.如权利要求8所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该高分子材料包含纤维或树脂。

10.如权利要求1项述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该可剥胶的厚度为0.3μm～5μm。

11.如权利要求1所述的IC屏蔽膜层的制程方法，其特征在于，该镀膜作业包含液体或气体成膜法。

12.一种IC屏蔽膜层，是利用如权利要求1至11任一项所述的IC屏蔽膜层的制程方法，在一IC上形成一屏蔽膜层。