[发明专利]一种利用阳离子腐蚀法制备多孔单分子薄膜材料的方法无效
| 申请号: | 201210057469.X | 申请日: | 2012-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN102531673A | 公开(公告)日: | 2012-07-04 |
| 发明(设计)人: | 刘波;王硕;李银丽;赵慧玲;梁浩 | 申请(专利权)人: | 河南大学 |
| 主分类号: | C04B41/47 | 分类号: | C04B41/47;B81C1/00 |
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| 地址: | 475001*** | 国省代码: | 河南;41 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 利用 阳离子 腐蚀 法制 多孔 分子 薄膜 材料 方法 | ||
1.一种多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,包括:
利用Langmuir-Blodgett(LB)膜制备方法在基底上制备单分子膜,调整制备LB膜时的表面压以控制薄膜的致密性。
将单分子膜浸入到盐溶液中腐蚀,获得多孔结构。
通过调整浸泡时间,盐溶液浓度,溶液阳离子的价态以及拉膜时的表面压来控制孔的大小和覆盖面积。
2.根据权利要求1所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述LB膜的成膜材料为硬脂酸,溶剂为正己烷,所配成的硬脂酸溶液的浓度为2mM/L。
3.根据权利要求2所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述硬脂酸溶液滴加在亚相(去离子水)表面的容量为15μL,等待自组装时间为10min。
4.根据权利要求3所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述压膜速度为8cm2/min。通过设定表面压来控制LB膜的致密性。
5.根据权利要求4所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述的在不同表面压下的拉膜速度为2mm/min。
6.根据权利要求1所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述基底为亲水性基底。
7.根据权利要求6所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述基底为云母。
8.根据权利要求1所述的多孔薄膜材料的制备方法,其特征在于,所述盐溶液为氯化钠、氯化镁溶液。
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