[发明专利]基于硅基的气密性封装外壳无效
| 申请号： | 201210056917.4 | 申请日： | 2012-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN102583218A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 刘胜;汪学方;方靖;吕植成 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 气密性 封装 外壳 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，该外壳采用单晶硅作为气密性封装材料，用于对MEMS芯片进行气密性封装。
2.根据权利要求1所述的基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，所述外壳包括管座和盖帽，管座为带有凹槽的单晶硅片，凹槽槽底带有通孔，通孔内镀有导电金属材料，通孔作为TSV信号通道，凹槽内用于放置待封装的MEMS芯片，盖帽为单晶硅片，用于与管座键合。
3.根据权利要求2所述的基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，盖帽与管座键合采用硅-硅直接键合，或者共晶键合的方式。
4.根据权利要求2所述的基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，作为管座的单晶硅厚度为600μm～800μm；凹槽深度为200μm～300μm，凹槽用各向异性湿法腐蚀的方式加工得到，凹槽槽底采用化学机械抛光，通孔采用干法刻蚀的方法得到，通孔直径为10μm～30μm，用做信号传输通道；通孔用甲基硫酸铜电镀体系电镀有金属铜。
5.根据权利要求2所述的基于硅基的气密性封装外壳，其特征在于，盖帽厚度为500μm～600μm之间。
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