[发明专利]半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法。

背景技术

目前市场上显示器以光源需求大略分为三类，穿透式液晶显示器、反射式液晶显示器及半穿半反液晶显示器。穿透式液晶显示器适合使用在弱光源的环境中，如在室内使用，而在室外使用时，当外在光源过于强大时，会使背光源的强度受到外在光的干扰，而使得眼睛看显示器时会因此而觉得面板过亮而不清楚，影响到影像品质。而且长期使用背光源，使电量的消耗非常大，而小尺寸的显示器通常使用电池供电，所以容易出现很快没电的情况。反射式液晶显示器则适合用于外在光源强大的地方，因为结构中有一反射体，可以把强光反射，将外在光源的影响减低，此种结构轻薄且省电，但在光源弱的地方，会出现光强度不足的现象，影响影像品质。半穿半反式液晶显示器具有两种不同的显示模式，在光线较暗的环境下，主要靠透视模式，也就是利用液晶器自身的背光源透光液晶面板显示图像，在阳光下等光线充足的情况下，主要靠反射模式，即利用液晶面板内的反光镜将外部的光线反射出去，依次作为光源显示图像，因此半穿半反式液晶显示器适用于各种光线强度的外部环境，尤其具有优秀的户外可视性能，并且背光源的亮度不需要很高，具有功耗低的特点。

通常液晶显示器由一个上基板、一个下基板和夹于两者之间的液晶所组成。上基板是所谓的彩膜基板，通常包括公共电极和彩色滤光片。下基板是所谓的阵列基板，通常包括薄膜晶体管(TFT)和像素电极。彩膜基板可以通过数次光罩工艺形成彩色滤光片。阵列基板通常是使用4到6个掩膜(Mask)，经过薄膜沉积、Mask曝光和蚀刻等几步重复光罩制程工艺，形成矩阵排列的薄膜晶体管和像素电极，阵列基板制造过程中使用的Mask越多，相应工序也越多，进而导致不良率高，成本难以控制。

而现有制造半穿半反式阵列基板的制造方法，一般的是在完成薄膜晶体管后再进行另外的制程以形成反射部，使得制程更为复杂，成本更高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，其简化了阵列基板的生产制程、缩短了生产时间、降低生产成本。

为实现上述目的，本发明提供一种半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，包括以下步骤：

步骤1、提供基板；

步骤2、在基板上形成透明电极层、在透明电极层上形成第一金属层；

步骤3、通过第一道光罩制程以形成预定图案的栅极及像素电极，其中，该像素电极由透明电极层形成并暴露，该栅极由透明电极层及第一金属层形成；

步骤4、在栅极及像素电极上形成绝缘层；

步骤5、通过第二道光罩制程在上述绝缘层上形成预定图案的栅极绝缘层；

步骤6、在栅极绝缘层上形成半导体层、在半导体层及像素电极上形成第二金属层；

步骤7、通过第三道光罩制程在半导体层上形成预定图案的沟道层及在第二金属层上形成预定图案的漏极、源极及反射部，形成薄膜晶体管，其中，所述漏极电性连接于所述像素电极。

所述第一道光罩制程利用灰阶掩膜或半灰阶掩膜对透明电极层及第一金属层进行曝光、显影、蚀刻以形成预定图案的栅极与像素电极，所述栅极位于所述基板上，由部分透明电极层及设于该部分透明电极层上的部分第一金属层形成，所述像素电极与所述栅极分离设置，该像素电极由另一部分透明电极层形成。

所述第三道光罩制程利用灰阶掩膜或半灰阶掩膜对半导体层及第二金属层进行曝光、显影、蚀刻以形成预定图案的沟道层、漏极、源极及反射部，所述沟道层位于所述栅极绝缘层上，并部分延伸于所述像素电极，所述漏极与源极分离设置于所述沟道层的两端，该漏极一端沿所述沟道层延伸于所述像素电极上，所述反射部位于所述像素电极上。

所述透明电极层为氧化铟锡层。

所述步骤7后还包括，步骤8、在薄膜晶体管上形成平坦化层。

所述步骤8中的平坦化层为透明绝缘层。

所述第一金属层、第二金属层、及透明电极层分别通过溅射制程而形成。

所述绝缘层、半导体层、及平坦层分别通过化学气相沉积而形成。

本发明的有益效果：本发明半穿半反液晶显示器的阵列基板制造方法，只需三道光罩制程就完成了半透半反液晶显示器的阵列基板制造，简化了生产制程，缩短了生产时间，降低了生产成本。

为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。

附图说明