[发明专利]一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法

权利要求书

1.一种多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，包括步骤：

1)在730℃至820℃的温度下对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散；

2)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行限定源扩散：

3)在830℃至870℃的温度下对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散；

4)在830℃至870℃的温度下对第二次进行恒定源扩散的多晶硅硅片进行增加氧气流量的恒定源扩散；

5)重复步骤2)至步骤4)，直至获得符合颜色区分要求的多晶硅硅片。

2.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，在所述步骤3)中，对多晶硅硅片进行第二次恒定源扩散的扩散操作时间为4min至6min。

3.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，在所述步骤4)中，氧气流量为1500sccm至2500sccm。

4.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，在步骤1)和步骤2)之间还包括步骤11)对多晶硅硅片进行升温操作，升温速度为5℃-10℃/min。

5.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，对多晶硅硅片进行第一次恒定源扩散的时间为5min至15min。

6.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，步骤2)中对多晶硅硅片进行限定源扩散时，氧气流量为300sccm至800sccm。

7.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，对多晶硅硅片进行第一次限定源扩散时，限定源扩散操作的时间为10min至15min。

8.根据权利要求1所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，所述步骤4)对第二次进行恒定源扩散的多晶硅硅片进行增加氧气流量的恒定源扩散操作持续时间为：5min至10min。

9.根据权利要求1至8任一项所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，所述步骤1)之前还包括预处理工序：在750℃至800℃的温度下对多晶硅硅片进行5min至15min的氧化处理。

10.根据权利要求9所述多晶硅硅片多重扩散的制造方法，其特征在于，在步骤5)之后还包括步骤6)对多晶硅硅片进行降温处理，采用5℃-10℃/min的降温速度降至750℃至800℃。