[发明专利]激光二极管的测试装置、测试方法及制造方法无效
申请号: | 201210056430.6 | 申请日: | 2012-03-06 |
公开(公告)号: | CN103308277A | 公开(公告)日: | 2013-09-18 |
发明(设计)人: | 李秉衡;曾国峰 | 申请(专利权)人: | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司 |
主分类号: | G01M11/02 | 分类号: | G01M11/02;G01R31/26;H01S5/00;G01J1/00 |
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地址: | 518109 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光二极管 测试 装置 方法 制造 | ||
技术领域
本发明涉及激光二极管,特别设计一种激光二极管的测试装置、测试方法及制造方法。
背景技术
激光二极管(laser diode, LD)由激光二极管晶粒(LD die)封装而成,其质量是否合格主要取决于激光二极管晶粒,封装对激光二极管的质量影响较小。然而,目前激光二极管往往需在封装完后利用光纤等装置辅助才能测量光电特性以判断质量是否合格,常常在激光二极管晶粒不合格的情况下还进行封装,造成浪费,提高激光二极管的成本。
发明内容
有鉴于此,有必要提供一种可降低成本的测试装置。
一种测试装置,其包括:
一个用于承载一个激光二极管晶粒的卡盘;
一个用于向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流的电流源,该电流具有多个电流值,该电流源包括一个用于测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值的电压计;
一个设置在该卡盘上的悬架,该悬架包括有一个第一悬臂;及
一个光功率计,其包括:
一个设置在该第一悬臂上且与该激光二极管晶粒正对的光侦测器;及
一个与该光侦测器连接且用于测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值的功率计。
一种测试方法,其包括:
承载一个激光二极管晶粒;
向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流,该电流具有多个电流值并测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值;
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性;
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格。
一种激光二极管制造方法,其包括:
提供一个测试装置,其包括:
一个卡盘;
一个用于提供一个步进增长的电流的电流源,该电流包括多个电流值,该电流源包括一个电压计;
一设置在该卡盘上的悬架,该悬架包括有一个第一悬臂;及
一个光功率计,其包括:
一个设置在该第一悬臂上且与该卡盘正对的光侦测器;及
一个与该光侦测器连接的功率计;
将一个激光二极管晶粒正对该光侦测器承载于该卡盘上;
利用该电流源向该激光二极管晶粒提供该电流并利用该电流源测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及利用该光功率计测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值;
根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性;
根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格;及
若该激光二极管晶粒合格,则封装该激光二极管晶粒成一个激光二极管,否则,不封装该激光二极管晶粒。
采用该测试装置、测试方法及制造方法可以在激光二极管制造过程中直接对激光二极管晶粒进行测试,并仅封装测试合格的激光二极管晶粒,避免封装不合格的激光二极管晶粒,造成浪费,从而降低激光二极管的成本。
附图说明
图1为本发明较佳实施方式的激光二极管制造方法的流程图。
图2为本发明较佳实施方式的测试装置的示意图。
主要元件符号说明
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