[发明专利]激光二极管的测试装置、测试方法及制造方法无效

专利信息
申请号: 201210056430.6 申请日: 2012-03-06
公开(公告)号: CN103308277A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 李秉衡;曾国峰 申请(专利权)人: 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
主分类号: G01M11/02 分类号: G01M11/02;G01R31/26;H01S5/00;G01J1/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518109 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 激光二极管 测试 装置 方法 制造
【权利要求书】:

1.一种测试装置,其包括:

一个用于承载一个激光二极管晶粒的卡盘;

一个用于向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流的电流源,该电流具有多个电流值,该电流源包括一个用于测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值的电压计;

一个设置在该卡盘上的悬架,该悬架包括有一个第一悬臂;及

一个光功率计,其包括:

一个设置在该第一悬臂上且与该激光二极管晶粒正对的光侦测器;及

一个与该光侦测器连接且用于测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值的功率计。

2.如权利要求1所述的测试装置,其特征在于,该悬架包括一个转盘,该第一悬臂设置固定于该转盘上,该转盘用于通过转动调整该光侦测器的位置至该光侦测器与该激光二极管晶粒正对。

3.如权利要求2所述的测试装置,其特征在于,该悬架还包括一个第二悬臂及一个相机模组;该第二悬臂固定于该转盘上;该相机模组设置在该第二悬臂上;该转盘还用于通过转动调整该相机模组的位置至该相机模组与该激光二极管晶粒正对,该相机模组用于拍摄该激光二极管晶粒的图像以根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良。

4.如权利要求1所述的测试装置,其特征在于,该测试装置还包括一个与该电流源及该光功率计连接的处理器;该处理器用于控制该电流源提供该电流,读取该电流源测量到的该多个电压值及该光功率计测量到的该多个光功率值,并根据该多个根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性。

5.一种测试方法,其包括:

承载一个激光二极管晶粒;

向该激光二极管晶粒提供一个步进增长的电流,该电流具有多个电流值并测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及测该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值;

根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性;

根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格。

6.如权利要求5所述的测试方法,其特征在于,该测试方法还包括:

拍摄该激光二极管晶粒的图像;及

根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良,若该该激光二极管晶粒是存在外观不良,则不封装该激光二极管晶粒。

7.一种激光二极管制造方法,其包括:

提供一个测试装置,其包括:

一个卡盘;

一个用于提供一个步进增长的电流的电流源,该电流包括多个电流值,该电流源包括一个电压计;

一设置在该卡盘上的悬架,该悬架包括有一个第一悬臂;及

一个光功率计,其包括:

一个设置在该第一悬臂上且与该卡盘正对的光侦测器;及

一个与该光侦测器连接的功率计;

将一个激光二极管晶粒正对该光侦测器承载于该卡盘上;

利用该电流源向该激光二极管晶粒提供该电流并利用该电流源测量加载在该激光二极管晶粒上对应每个电流值的电压值及利用该光功率计测量该激光二极管晶粒发出的对应每个电流值的光功率值;

根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性;

根据该光电特性判断该激光二极管晶粒是否合格;及

若该激光二极管晶粒合格,则封装该激光二极管晶粒成一个激光二极管,否则,不封装该激光二极管晶粒。

8.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,该悬架包括一个转盘,该第一悬臂设置固定于该转盘上,该转盘用于通过转动调整该光侦测器的位置至该光侦测器与该激光二极管晶粒正对。

9.如权利要求8所述的制造方法,其特征在于,该悬架还包括一个第二悬臂及一个相机模组;该第二悬臂固定于该转盘上;该相机模组设置在该第二悬臂上;该转盘还用于通过转动调整该相机模组的位置至该相机模组与该激光二极管晶粒正对;该制造方法还包括:

利用该相机模组拍摄该激光二极管晶粒的图像;及

根据该图像分析该激光二极管晶粒是否存在外观不良,若该激光二极管晶粒是存在外观不良,则不封装该激光二极管晶粒。

10.如权利要求7所述的制造方法,其特征在于,该测试装置还包括一个与该电流源及该光功率计连接的处理器;该处理器用于控制该电流源提供该电流,读取该电流源测量到的该多个电压值及该光功率计测量到的该多个光功率值,并根据该多个根据该多个电流值、电压值及光功率值得到该激光二极管晶粒的光电特性。

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