[发明专利]有机电致发光显示装置无效
申请号: | 201210056209.0 | 申请日: | 2012-03-05 |
公开(公告)号: | CN103296053A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 方崇仰;马志远;康恒达;陈逸书 | 申请(专利权)人: | 联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人: | 江耀纯 |
地址: | 523808 广东省东莞*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 电致发光 显示装置 | ||
技术领域
本发明是涉及一种显示装置,特别涉及一种具有光过滤器用以提高显示质量的有机电致发光显示装置。
背景技术
有機發光二極管顯示器(organic light emitting diode display)由於具有可不需彩色滤光片(color filter)、可自发光(不需背光模块)以及低耗电等特性,一直以来都被视为取代液晶显示器成为下一世代的显示技术主流的最佳候选人。
为了提高有机发光二极管显示器的出光效率,一般会利用具有高反射率的导电材料做为一电极,用以将未直接射向显示出光面的激发光反射到显示出光面,进而使整体的显示亮度得以提高。
请参考图1。图1所示为传统的有机发光二极管显示装置的示意图。如图1所示,传统的有机发光二极管显示装置900包括一上基底910、一下基底920、一上电极930、一下电极940以及一有机发光层950。有机发光层950是设置在上基底910与下基底920之间,上电极930是设置在上基底910与有机发光层950之间,且下电极940是设置在下基底920与有机发光层950之间。此外,下电极940是为一具有高反射率的反射电极,而上基底910的一外表面910S是定义为有机发光二极管显示装置900的一显示出光面。因此,当有机发光层950产生一上激发光991射向上基底910以及一下激发光992射向下基底920时,下激发光992会被下电极940反射产生反射光999,反射光999可与上激发光991一并形成显示光而使得有机发光二极管显示装置900的发光效率获得提高。然而,由于下电极940具有高反射率,照向有机发光二极管显示装置900的环境光981也会被下电极940反射而形成一反射光989,对有机发光二极管显示装置900的显示效果形成干扰。
此外,在本技术领域中也有利用在显示出光面上加设一偏光片与一四分之一波片的方式来消除环境光造成反射的影响,但由于此方式也同时会吸收一半来自有机发光二极管显示装置本身所产生的激发光,故对有机发光二极管显示装置的发光强度与发光效率造成相当大的负面影响。
发明内容
本发明的主要目的在提供一种有机电致发光显示装置,利用光过滤器的设置,在不影响显示光强度的状况下降低环境光对显示光的干扰,达到改善有机电致发光显示装置的出光效率与提高画面质量的效果。
本发明提供一种有机电致发光显示装置,此有机电致发光显示装置包括一上基底、一下基底、一有机发光层、一上电极、一下电极以及一光过滤器。下基底是与上基底相对设置。有机发光层是设置在上基底与下基底之间,且有机发光层包括多个第一发光单元、多个第二发光单元以及多个第三发光单元。各第一发光单元是用以显示一第一波长范围内的光线,各第二发光单元是用以显示一第二波长范围内的光线,且各第三发光单元是用以显示一第三波长范围内的光线。上电极是设置在有机发光层与上基底之间,而下电极是设置在有机发光层与下基底之间。光过滤器是设置在上基底与下基底之间,用以阻挡第一波长范围、第二波长范围以及第三波长范围以外的光线。
本发明是利用在有机电致发光显示装置中设置一光过滤器,利用此光过滤器来阻挡或吸收欲呈现的显示光的波长范围以外的光线,故可在不影响显示光强度的状况下有效地降低环境光对显示光的干扰,进而达到提高显示效果的目的。
附图说明
图1与所示为传统的有机发光二极管显示装置的示意图。
图2所示为本发明的一第一优选实施例的有机电致发光显示装置的示意图。
图3所示为本发明的一第一优选实施例的有机电致发光显示装置的显示状态示意图。
图4与图5所示为本发明的一第一优选实施例的有机电致发光显示装置的显示频谱示意图。
图6所示为本发明的一第二优选实施例的有机电致发光显示装置的示意图。
图7所示为本发明的一第三优选实施例的有机电致发光显示装置的示意图。
图8与图9所示为本发明的一第三优选实施例的有机电致发光显示装置的显示频谱示意图。
图10所示为本发明的一第四优选实施例的有机电致发光显示装置的示意图。
其中,附图标记说明如下:
101 有机电致发光显示装置 102 有机电致发光显示装置
110 上基底 110S 外表面
120 下基底 130 上电极
140 下电极 141 下电极
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司,未经联胜(中国)科技有限公司;胜华科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210056209.0/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:CMOS及其形成方法
- 下一篇:静电放电保护结构及半导体设备
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的