[发明专利]发光二极管晶片的点测方法

权利要求书

1.发光二极管晶片的点测方法，包括光学参数测试和电性参数测试，其特征在于：对光学参数分布离散的区域芯粒进行光电参数全测，对光学参数分布集中的区域芯粒只进行电性参数单测。

2.根据权利要求1所述的发光二极管晶片的点测方法，包括如下步骤：

步聚一：定义晶片的顶部、底部区域和中间区域； 

步骤二：对晶片顶部区域的芯粒进行光电参数全测；

步骤三：对晶片的中间区域的部分芯粒进行光电参数全测，另一部分芯粒进行电参数单测；

步骤四：对晶片的底部区域进行光电参数全测。

3.根据权利要求2所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：通过设定单行芯粒颗数界定晶片的顶部和底部区域，当单行芯粒颗数低于预设值时，其为顶部或底部区域。

4.根据权利要求2所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：在晶片的中间区域，每行芯粒设定单-全测切换点，根据该单-全测切换点进行光电参数全测与电参数单测的切换。

5.根据权利要求4所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：所述晶片中间区域的芯粒，每行设置有单-全测参考点。

6.根据权利要求5所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：所述单-全测参考点设置在每行的起始区域。

7.根据权利要求6所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：对起始区域的芯粒进行光电参数全测，当连续光电参数值为正常值的芯粒颗数达到预设值时，设置单-全测参考点。

8.根据权利要求4所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：所述晶片中间区域，每行芯粒设置有两个单-全测切换点，分别分布在起始区域和终止区域。

9.根据权利要求8所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：所述起始区域的单-全测切换点根据该行起始区域的全测数据进行设置，当连续光电参数值为正常值的芯粒颗数达到预设值时，设置起始区域的单-全测参考点；所述终止区域的单-全测切换点根据前一行的单-全测参考点进行设置，其位于单-全测参考点相应位置的内侧。

10.根据权利要求9所述的发光二极管晶片的点测方法，其特征在于：在对中间区域的芯粒进行点测过程中，在每行的起始端先进行光电参数全测，到达第一个单-全测切换点时，切换为电参数单测，到达第二个单-全测切换点时，切换为光电参数全测，完成该行芯粒的点测。