[发明专利]一种高钙除磷的硅的清洗方法有效
| 申请号： | 201210054920.2 | 申请日： | 2012-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN102602935A | 公开（公告）日： | 2012-07-25 |
| 发明（设计）人： | 刘荣隆;叶联蔚 | 申请（专利权）人： | 矽明科技股份有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/037 | 分类号： | C01B33/037 |
| 代理公司： | 厦门市新华专利商标代理有限公司 35203 | 代理人： | 渠述华 |
| 地址： | 中国香港特别行政区湾仔轩尼*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 清洗 方法 | ||
1.一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于依以下步骤进行清洗：
步骤1，将高钙金属硅先破碎成1～10mm颗粒后，再研磨至20目以上，筛分出100～20目的粉料，取样，用ICP－AES测定其钙含量；
步骤2，将步骤1的粉料用盐酸溶液浸泡，搅拌，反应时间2～10小时，固液分离，并用去离子水清洗3～6次，得到初级混合粉料；
步骤3，将步骤2的初级混合粉料用碱溶液进行浸泡，搅拌，反应时间0.5～4小时，固液分离，并用去离子水清洗3～6次，得到二级粉料；
步骤4，将步骤3的二级粉料用硫酸和氢氟酸的混酸溶液进行浸泡，搅拌，加热，反应温度为60～80℃，反应时间8～12小时，固液分离，并用去离子水清洗3～6次，得到三级粉料；
步骤5，将步骤4的三级粉料用盐酸和氢氟酸的混酸溶液进行浸泡，搅拌，加热，反应温度为60～80℃，反应时间2～6小时，固液分离，并用去离子水清洗4～8次，得到四级粉料；
步骤6，将步骤5的四级粉料经过真空干燥后，获得低磷硅粉。
2.如权利要求1所述一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于：所述步骤1的高钙金属硅的钙含量为10000～280000ppm。
3.如权利要求1所述一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于：所述步骤2的盐酸溶液的浓度为15～20％，浸泡时用水冷的方法保持反应温度在20～40℃。
4.如权利要求1所述一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于：所述步骤3的碱溶液为2～5％氢氧化钾、2～5％氢氧化钠、2～10％的氨水中的一种或一种以上的混合物，浸泡时用水冷的方法保持反应温度在20～40℃。
5.如权利要求1所述一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于：所述步骤4的混酸溶液中，硫酸2～10％，氢氟酸6～14％。
6.如权利要求1所述一种高钙除磷的硅的清洗方法，其特征在于：所述步骤5的混酸溶液中，盐酸2～10％，氢氟酸3～8％。
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