[发明专利]具有冗余存储器的存储器阵列的数据复制方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210053619.X 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN103295647A 公开(公告)日: 2013-09-11
发明(设计)人: 洪硕男 申请(专利权)人: 旺宏电子股份有限公司
主分类号: G11C29/24 分类号: G11C29/24
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 宋焰琴
地址: 中国台湾新竹*** 国省代码: 中国台湾;71
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 具有 冗余 存储器 阵列 数据 复制 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明的技术是关于复制存储于一具有冗余存储器区域的存储器阵列中的数据。

背景技术

一个例如是复制写回编程命令的存储页面复制操作,是从存储器的来源页面复制到目的页面,而不需要转移此复制数据进出集成电路外部的缓冲存储器。而是,此页面复制操作,是从存储器的来源页面复制到集成电路内部的页面缓冲器,且然后从此页面缓冲器复制到目的页面。

在先前技术中,对一冗余存储器机制(如图1中所示),此缺陷行是利用一冗余行来修复。此先前技术存储器机制的复制写回编程机制是相当简单的,且显示在图2中。在此复制写回编程流程中,在第1步骤发出一复制写回读取命令。在第2步骤,来源页面的数据从此阵列下载至内部页面缓冲器。在第3步骤,发出一复制写回编程命令,其包括输入目的页面地址。第4步骤是选择性的,假如需要的话,此内部缓冲器资料可以自外部来源修改或增加。在第5步骤,发出一复制写回编程开始命令。在最后一步骤,此内部缓冲器数据可以直接编程至目的页面。

在此先前技术中,页面寻址到缺陷存储器位置的存储器操作会由行冗余电路重新导向至分配给此主要阵列缺陷存储位置的冗余存储器位置。因此,如此寻址到缺陷存储器位置的存储器操作会在冗余存储器位置上执行。

然而,在一缺陷行中,这些缺陷可以在整行中或是此行的一部分存在。在通常的情况下,大部分的缺陷仅会在此行的一部分存在,且其较经济的做法是将一冗余行分割成许多修复区段,例如图3所示,其显示两个冗余区段SEG1和SEG2。在图8的另一个范例中,这些冗余区段SEG1、SEG2、SEG3、和SEG4都分割成主要阵列和冗余阵列。第一冗余行区段可以用来修复第一缺陷行区段,即从区块0到255。第二冗余行区段可以用来修复第二缺陷行区段(从区块256到511),其余类推。目前所描述的技术是使用后者将一冗余行分割成许多修复区段。

对此多重区段冗余系统,无法使用此先前技术的复制写回编程机制。一个例如复制写回编程的存储页面复制操作会略过行冗余电路,因此,其结果是,造成也略过与其相关的缺陷存储器地址重新导向至冗余存储器地址的操作。假如此存储器阵列的一特定行在来源页面是具有缺陷的话,则从来源页面的缺陷行的复制数据是没有效率的。类似地,假如此存储阵列的一特定行在目的页面是具有缺陷的话,则从目的页面的缺陷行的复制数据是没有效率的。

因为存储器页面复制操作并没有包括主要阵列中的缺陷地址重新导向至冗余阵列中的冗余取代地址,从来源页面至目的页面的存储器页面复制操作产生了许多错误。

在一情况下,来源页面具有一缺陷在此来源页面的主要阵列的一特定主要地址,举例而言,在此来源页面的主要阵列的一特定行。然而,目的页面或许并不具有一缺陷在此目的页面的主要阵列的相同特定主要地址,举例而言,在此目的页面的主要阵列的一特定行。

在另一情况下,目的页面具有一缺陷在此目的页面的主要阵列的一特定主要地址,举例而言,在此目的页面的主要阵列的一特定行;然而,来源页面或许并不具有一缺陷在此来源页面的主要阵列的相同特定主要地址,举例而言,在此来源页面的主要阵列的一特定行。

在又一种情况下,来源页面与目的页面具有一缺陷在此来源页面与目的页面的主要阵列的一相同特定主要地址,举例而言,在此来源页面与目的页面的主要阵列的一相同特定行。然而,此缺陷或许由在不同冗余地址的各自的冗余阵列不同部分修复,举例而言,在此来源页面的主要阵列部分的缺陷由此来源页面冗余阵列部分的一第一特定行修复,而在此目的页面的主要阵列部分的缺陷由此目的页面冗余阵列部分的一第二特定行修复。

对此多重区段冗余系统的另一种先前技术,需要页面缓冲器才能成为没有缺陷的存储器。在此存储器中,外部数据会在此主要阵列的页面缓冲器进出。在此读取程序中,页面缓冲器数据在读取程序即将结束时从冗余行移动至缺陷行。在此编程程序中,页面缓冲器数据在编程程序开始时从缺陷行移动至冗余行。此机制非常简单。然而,某些非缺陷页面缓冲器需要付出代价。举例而言,可以使用一较大的页面缓冲器面积来舒缓此临界设计准则。

为了解决先前技术中的许多问题,对此多重区段冗余系统,在以下描述中会提供一种新的复制写回编程机制。

发明内容

本发明的一目的是提供一种具有存储阵列及控制电路的存储装置技术。

此存储阵列安排成一主要阵列分割成多个区段,及一冗余阵列分割成多个区段与该主要阵列对应。

其中该主要阵列的一特定区段中的一组缺陷位置由对应的该冗余阵列的一特定区段中的冗余存储器取代。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于旺宏电子股份有限公司,未经旺宏电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210053619.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top