[发明专利]热敏头及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201210053015.5 申请日: 2012-03-02
公开(公告)号: CN102653183A 公开(公告)日: 2012-09-05
发明(设计)人: 三本木法光;东海林法宜;师冈利光;顷石圭太郎 申请(专利权)人: 精工电子有限公司
主分类号: B41J2/335 分类号: B41J2/335;B41J2/32
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 李辉;黄纶伟
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 热敏 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种热敏头的制造方法,其包括:

发热电阻体形成步骤,在基板上形成发热电阻体;

电极形成步骤,在所述发热电阻体上,在沿该发热电阻体表面的方向上隔开间隔而形成一对电极,并且在所述一对电极上分别形成倾斜面,该倾斜面随着远离所述基板而彼此分离;

填埋步骤,填埋所述一对电极之间的区域;以及

保护膜形成步骤,在所填埋的所述区域以及所述一对电极上形成保护膜。

2.根据权利要求1所述的热敏头的制造方法,其中,

所述电极形成步骤包括:

电极层形成步骤,在所述基板上形成电极层;

第1掩模形成步骤,在所述电极层上的所述发热电阻体两侧隔开间隔而形成第1掩模;

电极层去除步骤,通过使用具有浸透性的溶剂的蚀刻处理来去除所述电极层的没有被所述第1掩模覆盖的区域;以及

第1掩模去除步骤,去除所述第1掩模。

3.根据权利要求1所述的热敏头的制造方法,其中,

所述填埋步骤包括:

第2掩模形成步骤,在所述一对电极上形成第2掩模;

填埋膜形成步骤,在所述一对电极之间以及所述第2掩模上形成填埋膜;以及

第2掩模去除步骤,去除所述第2掩模。

4.根据权利要求2所述的热敏头的制造方法,其中,

所述填埋步骤包括:

第2掩模形成步骤,在所述一对电极上形成第2掩模;

填埋膜形成步骤,在所述一对电极之间以及所述第2掩模上形成填埋膜;以及

第2掩模去除步骤,去除所述第2掩模。

5.根据权利要求1所述的热敏头的制造方法,其中,

所述倾斜面是相对于所述基板以15°~60°的角度形成的。

6.根据权利要求2所述的热敏头的制造方法,其中,

所述倾斜面是相对于所述基板以15°~60°的角度形成的。

7.根据权利要求3所述的热敏头的制造方法,其中,

所述倾斜面是相对于所述基板以15°~60°的角度形成的。

8.根据权利要求4所述的热敏头的制造方法,其中,

所述倾斜面是相对于所述基板以15°~60°的角度形成的。

9.一种热敏头,其具有:

发热电阻体,其设置在基板上;

一对电极,它们在该发热电阻体上在沿该发热电阻体表面的方向上隔开间隔而设置,并分别具有随着远离所述基板而彼此分离的倾斜面;

填埋膜,其填埋该一对电极之间的区域;以及

保护膜,其形成在由该填埋膜填埋的所述区域以及所述一对电极上。

10.根据权利要求9所述的热敏头,其中,

所述倾斜面是相对于所述基板以15°~60°的角度形成的。

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