[发明专利]非易失性存储器件、其编程方法、及数据处理系统有效
申请号: | 201210052964.1 | 申请日: | 2012-03-02 |
公开(公告)号: | CN103021463A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 具喆熙;金昞宁 | 申请(专利权)人: | 海力士半导体有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/26;G11C16/34 |
代理公司: | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人: | 俞波;郭放 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 编程 方法 数据处理系统 | ||
1.一种非易失性存储器件的编程方法,包括:
前置编程验证步骤,所述前置编程验证步骤用于验证选中的存储器单元的阈值电压;
根据经由所述前置编程验证步骤判定的所述选中的存储器单元的阈值电压来设定所述选中的存储器单元的位线电压的步骤;
将编程电压施加至以所述位线电压设定的所述选中的存储器单元的步骤;以及
后置编程验证步骤,所述后置编程验证步骤用于验证被施加所述编程电压的所述选中的存储器单元的编程状态。
2.如权利要求1所述的编程方法,其中,在所述前置编程验证步骤之前,所述方法还包括:
将所述选中的存储器单元的位线预充电的步骤。
3.如权利要求2所述的编程方法,其中,所述前置编程验证步骤包括:
根据所述选中的存储器单元的阈值电压而将所述选中的存储器单元的被预充电的位线放电的步骤。
4.如权利要求3所述的编程方法,其中,在施加所述编程电压的步骤期间,保持被放电的所述选中的存储器单元的位线电压。
5.如权利要求1所述的编程方法,
其中,所述前置编程验证步骤、设定位线电压的步骤、施加编程电压的步骤、以及所述后置编程验证步骤构成一个编程循环,以及
其中,通过重复所述编程循环来对所述选中的存储器单元进行编程。
6.一种非易失性存储器件,包括:
存储器单元,所述存储器单元与位线连接;以及
数据输入/输出电路,所述数据输入/输出电路被配置成在编程操作中,将所述存储器单元的所述位线预充电、根据所述存储器单元的阈值电压将被预充电的所述位线放电、以及根据要储存在所述存储器单元中的数据而保持被放电的所述位线的电压或施加编程禁止电压给所述位线。
7.如权利要求6所述的非易失性存储器件,其中,所述数据输入/输出电路包括:
预充电电路,所述预充电电路被配置成将所述位线预充电;
数据锁存电路,所述数据锁存电路被配置成暂时储存要储存在所述存储器单元中的所述数据;以及
位线连接电路,所述位线连接电路被配置成在所述编程操作中根据被储存在所述数据锁存电路中的数据来控制所述位线与所述数据锁存电路的连接。
8.如权利要求7所述的非易失性存储器件,其中,在编程数据储存在所述数据锁存电路中的情况下,所述位线连接电路被配置成阻断所述位线与所述数据锁存电路的连接,使得保持被放电的所述位线的电压。
9.如权利要求8所述的非易失性存储器件,其中,根据所述存储器单元的阈值电压,所述位线的电压被保持为接地电压、或高于所述接地电压而低于所述编程禁止电压的电压。
10.如权利要求7所述的非易失性存储器件,其中,在擦除数据储存在所述数据锁存电路中的情况下,所述位线连接电路被配置成允许所述位线与所述数据锁存电路的连接。
11.如权利要求10所述的非易失性存储器件,其中,当所述位线与所述数据锁存电路彼此连接时,所述位线的电压被保持为所述编程禁止电压。
12.一种数据处理系统,包括:
非易失性存储器件;以及
控制器,所述控制器被配置成控制所述非易失性存储器件,
其中,所述非易失性存储器件包括;
存储器单元阵列,所述存储器单元阵列包括位于字线与位线彼此相交叉的区域处的存储器单元;
控制逻辑,所述控制逻辑被配置成控制所述存储器单元的编程操作和读取操作;以及
数据输入/输出电路,所述数据输入/输出电路被配置成在所述编程操作中,在所述控制逻辑的控制之下将所述存储器单元的位线预充电、根据所述存储器单元的阈值电压将被预充电的所述位线放电、以及根据要储存在所述存储器单元中的数据而保持被放电的所述位线的电压或施加编程禁止电压给所述位线。
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