[发明专利]一种基于陶瓷基板的超材料及其制备方法有效
申请号: | 201210050827.4 | 申请日: | 2012-02-29 |
公开(公告)号: | CN103295914B | 公开(公告)日: | 2018-01-16 |
发明(设计)人: | 刘若鹏;赵治亚;金曦;熊晓磊 | 申请(专利权)人: | 深圳光启高等理工研究院 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;C04B35/622 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518057 广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 陶瓷 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的制备方法包括以下步骤:
a、制备生瓷带:将低温烧结陶瓷粉末研磨4-24小时后,按重量组份比将研磨好的40-60份低温烧结陶瓷粉末、50-30份溶剂和50-30粘结剂一混合均匀形成陶瓷浆料,采用流延法将陶瓷浆料制成生瓷带;
b、将金属薄膜覆在涂覆有粘结剂二的生瓷带上,并烘干、保持干燥;
c、在所述的覆有金属薄膜的生瓷带上蚀刻出定位标记;
d、通过刻蚀技术在金属薄膜上刻蚀出微结构图形;
e、重复步骤a、b、c、d,制备多片蚀刻有微结构的生瓷带;
f、将步骤e中的多片生瓷带通过定位标记对准叠合后,然后热压、烧结,形成一体的多层基于陶瓷基板的超材料,所述的热压、烧结具体为:将多片生瓷带对准叠合后,先在100℃-400℃下热压5-10分钟,再在氩气、氮气或湿氢气的氛围下和温度为500℃-645℃下烧结1-4小时,获得致密、一体的多层基于陶瓷基板的超材料。
2.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的步骤d通过刻蚀技术在金属薄膜上刻蚀出微结构,具体方法为:在金属薄膜上涂抹一层光刻胶,将掩膜板对准光刻胶进行曝光,然后去除未曝光的光刻胶,再通过腐蚀液去掉微结构图形以外的金属薄膜,获得刻蚀有微结构图形的生瓷带。
3.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述步骤a中低温烧结陶瓷粉末为BiNbO4和O.5wt%Cu的粉末混合物、BaTi4O9和1.5wt%BaCu(B2O5)的粉末混合物或TeO2和10wt%CaTiO3的粉末混合物。
4.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的粘结剂一为聚乙烯醇或淀粉或羧甲基纤维素。
5.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的粘结剂二为聚乙烯醇或淀粉或羧甲基纤维素。
6.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的溶剂为乙醇、丙酮或水。
7.根据权利要求2所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述刻蚀的微结构图形由所述的掩膜板控制。
8.根据权利要求7所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的微结构图形为轴对称图形或非轴对称图形。
9.根据权利要求1所述的基于陶瓷基板的超材料的制备方法,其特征在于:所述的金属薄膜为铜箔、金箔、银箔或铝箔。
10.一种基于陶瓷基板的超材料,其特征在于:包括权利要求1-9任意一项所述的方法制备的基于陶瓷基板的超材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造