[发明专利]含菲啰啉有机半导体材料及其制备方法和应用无效
申请号: | 201210045936.7 | 申请日: | 2012-02-27 |
公开(公告)号: | CN103288825A | 公开(公告)日: | 2013-09-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;王平;梁禄生;黄辉 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司 |
主分类号: | C07D471/04 | 分类号: | C07D471/04;C09K11/06;H01L51/54 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 含菲啰啉 有机半导体 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
1.一种含菲啰啉有机半导体材料,其特征在于,该含菲啰啉有机半导体材料具有如下通式:
式中,R为氢原子或C1-C8的烷基。
2.根据权利要求1所述的含菲啰啉有机半导体材料,其特征在于,R为叔丁基。
3.一种含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,该制备方法包括如下步骤:
提供如下化合物A和化合物B:
化合物A为化合物B为或式中,R为氢原子或C1-C8的烷基;
在惰性气体氛围内,将化合物A和化合物B以摩尔比1∶2~1∶3溶于含有催化剂和碱液的有机溶剂中,于70~130℃下进行Suzuki耦合反应20~48h,制得结构式为的含菲啰啉有机半导体材料。
4.根据权利要求3所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,R为叔丁基。
5.根据权利要求3所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述催化剂为有机钯,所述有机钯为四(三苯基膦)钯、三(二亚苄基丙酮)二钯或双(三苯基磷)二氯化钯。
6.根据权利要求3所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述催化剂的摩尔用量为化合物A摩尔用量的0.001~0.1倍。
7.根据权利要求3所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述碱液为Cs2CO3、K2CO3或Na2CO3。
8.根据权利要求3或7所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述碱液中,碱的用量为化合物A的摩尔用量的20-25倍。
9.根据权利要求3所述的含菲啰啉有机半导体材料的制备方法,其特征在于,所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚或甲苯。
10.权利要求1或2所述的含菲啰啉有机半导体材料在有机电致发光器件中的应用。
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