[发明专利]水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法无效
| 申请号： | 201210041849.4 | 申请日： | 2012-02-23 |
| 公开（公告）号： | CN102593250A | 公开（公告）日： | 2012-07-18 |
| 发明（设计）人： | 姜猛;张晓青;张臻;茅永俊 | 申请（专利权）人： | 常州天合光能有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 王凌霄 |
| 地址： | 213031 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 平铺 恢复 晶体 极化 组件 方法 | ||
1.一种水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：将太阳能组件(1)表面覆盖导电溶液(2)，将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，施加电压，施加的电压在1000V-1500V之间，
对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的边框连接；
对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的边框连接。
2.根据权利要求1所述的水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：在溶液表面及边框上覆盖一层防挥发的塑料薄膜(4)。
3.根据权利要求1或2所述的水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：对太阳能组件(1)施加电压时，检测漏电流。
4.根据权利要求1所述的水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：导电溶液(2)为水、或活性较高的离子溶液。
5.根据权利要求1所述的水膜平铺法恢复晶体硅极化组件的方法，其特征是：具体步骤为：
a.在太阳能组件(1)上表面洒满导电溶液(2)，溶液表面及边框上覆盖一层塑料薄膜(4)，要求面积大于组件表面积；
b.将直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的引出线连接，在直流恒压源(3)和太阳能组件(1)的连接电路中串入漏电流检测仪(5)，直流恒压源(3)与太阳能组件(1)的连接方式为：
对于N型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的边框连接；
对于P型太阳能电池组件，直流恒压源(3)的正极与太阳能组件(1)的引出线的正极连接，直流恒压源(3)的负极与太阳能组件(1)的边框连接；
d.对太阳能组件(1)施加电压1000V电压，并监控漏电流；
e.极化恢复过程中根据实际情况间隔一段时间通过监控的漏电流来确定极化组件的恢复情况及组件电池片的情况。
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