[发明专利]一种精确测量WEE宽度的方法

说明书

技术领域

本发明属于晶片边界排除技术领域，具体涉及一种精确测量WEE宽度的方法。

背景技术

由于工艺局限，晶片边缘往往缺陷很高，在晶片边缘的图形很容易形成缺陷源，因此在涂胶后需要去除晶片边缘特定宽度的胶。WEE是Wafer Edge Exclusion(晶片边界排除)的简称，其过程是将圆片边缘特定宽度区域内的光刻胶采用曝光显影的方式去除，并且各个光刻工艺层次的WEE的宽度是不一致的，WEE的准确度直接影响到圆片上的有效面积，即圆片上实际可产出的管芯数目，因此需要准确控制。

目前，WEE宽度的测量方法主要有两种，一种是利用目镜带有标尺的显微镜进行测量，另一种是用尺直接测量，带有标尺的显微镜不是每一家半导体生产厂家都配备的，其使用范围受限。WEE的设计精度为0.1毫米，因此用尺直接测量显然不准确，其测试误差至少有0.5毫米。

发明内容

为了克服上述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种精确测量WEE宽度的方法，该方法解决了现有技术中测试误差大的问题，具有测量精度高的特点。

为了达到上述目的，本发明采用如下技术方案：

一种精确测量WEE宽度的方法，包括如下步骤：

步骤1：将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；

步骤2：将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘，放置要求如下：

1)光刻对位标记的放置位置至少为上下左右四个位置；

2)各相邻光刻对位标记互相错开；

3)各相邻光刻对位标记间的间距为0，即光刻机的步进距离为光刻对位标记尺寸；

4)最外侧光刻对位标记距晶片边缘距离小于0.5毫米；

步骤3：经WEE后，根据WEE分界线1和晶片边缘3之间的WEE分界线外显影后不存在的图形2曝光的布局数据和显影后保存的完整光刻对位标记个数及是否包含不完整光刻对位标记，计算WEE宽度，光刻对位标记数量采用进一法，不足一个完整光刻对位标记的按一个计算，具体计算公式为公式1和公式2：

当WEE后，光刻对位标记均为完整图形时，计算公式如公式1：

WEE宽度＝光刻对位标记宽度×WEE后完整光刻对位标记个数+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            1

当WEE后，光刻对位标记包含不完整图形时，计算公式如公式2：

WEE宽度＝光刻对位标记宽度×(WEE后完整光刻对位标记个数+1)+光刻对位标记距离×光刻对位标记间距个数            2

曝光使用的光刻对位标记满足如下条件：

曝光使用的光刻对位标记包含周期性的重复图形，以便根据图形数目判断不完整光刻对位标记的宽度或高度；

WEE的精度为0.1毫米，因此光刻对位标记中重复图形的周期需满足该精度要求，实际可使用的尺寸为8-40微米；

不完整光刻对位标记中保留的重复图形的数目是在显微镜下识别的，因此其最小图形应可以被光学显微镜识别，最小尺寸大于2微米。

本发明方法和现有技术相比，具有如下优点：

1、本发明是采用在边缘曝光图形的方法来确认WEE的宽度，用于判断WEE宽度的图形在显微镜下可以观察到，且其尺寸远小于WEE的精度，保证了测试的准确性。

2、本发明的实施不受半导体生产线的条件限制，利用现有资源就可以测定WEE宽度。

附图说明

图1是实施例1WEE后示意图。

图2是实施例2WEE后示意图。

图3是实施例3WEE后示意图。

附图标记：1——WEE分界线；2——WEE分界线外显影后不存在的图形；3——晶片边缘；

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明作进一步详细说明。

实施例1：

步骤1：将光刻机挡板设置在需曝光使用的光刻对位标记上；

步骤2：将光刻对位标记依次曝光放置在晶片边缘，放置要求如下：

1)光刻对位标记的放置位置至少为上下左右四个位置；

2)各相邻光刻对位标记互相错开；

3)各相邻光刻对位标记间的间距为0，即光刻机的步进距离为光刻对位标记尺寸；

4)最外侧光刻对位标记距晶片边缘距离小于0.5毫米；