[发明专利]铜互连结构及其制造方法

权利要求书

1.一种铜互连结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上形成有低K介质层及位于所述低K介质层中的铜互连线；

形成Si-C-B掩膜层，所述Si-C-B掩膜层覆盖所述低K介质层及铜互连线；

在所述Si-C-B掩膜层上形成铜隔离层。

2.如权利要求1所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，在形成Si-C-B掩膜层之前，还包括以下步骤：

对低K介质层及位于所述低K介质层中的铜互连线进行退火处理。

3.如权利要求2所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，利用H₂进行退火处理。

4.如权利要求1至3中的任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述Si-C-B掩膜层通过等离子体增强化学气相沉积工艺形成。

5.如权利要求4所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体为：SiH₄、CH₄和B₂H₆。

6.如权利要求5所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体的流量分别为：SiH₄ 50～1000sccm，CH₄ 50～1000sccm，B₂H₆ 50～1000sccm。

7.如权利要求4所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体为：三甲基硅烷和B₂H₆。

8.如权利要求7所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体的流量分别为：三甲基硅烷50～1000sccm，B₂H₆50～1000sccm。

9.如权利要求4所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的反应气体为：四甲基硅烷和B₂H₆。

10.如权利要求9所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述反应气体的流量分别为：四甲基硅烷50～1000sccm，B₂H6₅0～1000sccm。

11.如权利要求5至10中的任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积工艺的工艺参数为：压强1～7torr，电功率50～1000w，温度300～400℃。

12.如权利要求5至10中的任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，在所述等离子体增强化学气相沉积工艺中，采用He作为反应的保护气体。

13.如权利要求1至3中的任一项所述的铜互连结构的制造方法，其特征在于，所述铜隔离层由三甲基硅烷和NH3反应形成；或者由四甲基硅烷和NH3反应形成。

14.如权利要求1至13中的任一项所述的铜互连结构的制造方法制得的铜互连结构，其特征在于，包括：

衬底，位于所述衬底上的低K介质层及位于所述低K介质层中的铜互连线；

Si-C-B掩膜层，所述Si-C-B掩膜层覆盖所述低K介质层及铜互连线；及

位于所述Si-C-B掩膜层上的铜隔离层。