[发明专利]涂敷装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种涂敷装置。

本申请基于2011年2月18日在日本申请的特愿2011-033369号要求优先权，将其内容援用于此。

背景技术

使用了含有Cu、Ge、Sn、Pb、Sb、Bi、Ga、In、Ti、Zn及它们的组合等的金属与S、Se、Te及它们的组合等的硫族元素在内的半导体材料的CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池，作为一种具有高转换效率的太阳能电池正受到注目(例如参照专利文献1～专利文献3)。CIGS型太阳能电池是一种使用例如由上述Cu、In、Ga、Se这四种半导体材料形成的膜来作为光吸收层(光电转换层)的结构。另外，CZTS型太阳能电池是一种使用例如由Cu、Zn、Sn、Se这四种半导体材料形成的膜来作为光吸收层(光电转换层)的结构。作为这种太阳能电池的结构，例如公知一种在由玻璃等构成的基板上设置由钼等形成的背面电极，在所述背面电极的上面配置上述光吸收层的结构。

CIGS型太阳能电池或CZTS型太阳能电池与现有类型的太阳能电池相比，由于可以减薄光吸收层的厚度，因此，容易向曲面设置或搬运。因此，作为高性能且柔性的太阳能电池，期待向宽广领域的应用。作为形成光吸收层的方法，目前，公知一种例如使用蒸镀法或溅射法等来形成的方法(例如，参照专利文献2～专利文献5)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平11-340482号公报

专利文献2：日本特开2005-51224号公报

专利文献3：日本特表2009-537997号公报

专利文献4：日本特开平1-231313号公报

专利文献5：日本特开平11-273783号公报

相对于此，作为形成光吸收层的方法，本发明人提出一种将上述半导体材料以液状体涂敷在基板上的方法。在通过液状体的涂敷形成光吸收层的情况下，存在以下问题。

当在背面电极(例如钼膜)的表面例如形成金属氧化膜等时，液状体在金属氧化膜的表面弹起，有时无法将涂敷膜均匀形成在基板上。因此，为了将涂敷膜均匀形成在基板上，在液状体涂敷前对衬底基板进行除去氧化膜的前处理是有效的。但是，在将通过前处理除去氧化膜的基板搬运到涂敷位置时，由于搬送路径的环境气体，有时在搬送中会再次将基板的表面氧化。对于这一问题，不限于将基板上的背面电极的氧化膜除去的前处理，可以想象在进行其他前处理时也存在。

发明内容

鉴于上述情况，本发明的目的在于提供一种在对基板的前处理后直到涂敷的期间，可以抑制基板的表面的状态变化的涂敷装置及涂敷方法。

本发明的涂敷装置具备：涂敷部，其对基板涂敷含有易氧化性的金属的液状体；

前处理部，其对涂敷所述液状体之前的所述基板进行前处理；以及连接部，其具有连接空间，该连接空间对由所述涂敷部涂敷所述液状体的涂敷空间与由所述前处理部进行所述前处理的前处理空间进行连接，所述连接部被设置成可进行调整，使得所述连接空间的气体环境成为惰性气体的气体环境。

根据本发明，由于是具备连结部的结构，其中，连接部具有连接空间，该连接空间对由涂敷部涂敷液状体的涂敷空间与由前处理部进行前处理的前处理空间进行连接，所述连接部被设置成可进行调整，使得连接空间的气体环境成为惰性气体的气体环境，因此，可将从前处理空间到涂敷空间的连接空间形成为惰性气体的气体环境。由此，在对基板进行前处理后到涂敷的期间，可抑制基板的表面的状态变化。

上述的涂敷装置的特征在于，还具备向所述连接空间供给所述惰性气体的第一供给部。

根据本发明，由于还具备向连接空间供给惰性气体的第一供给部，因此可向连接空间直接供给惰性气体。由此，可使连接空间有效地形成为惰性气体的气体环境。

上述的涂敷装置的特征在于，还具备向所述前处理空间供给所述惰性气体的第二供给部。

根据本发明，由于还具备向前处理空间供给惰性气体的第二供给部，因此可通过前处理空间向连接空间供给惰性气体。此时，由于对于前处理空间也可以形成为惰性气体的气体环境，因此在前处理空间及连接空间可使惰性气体的环境气体连续。

上述的涂敷装置的特征在于，还具备向所述涂敷空间供给所述惰性气体的第三供给部。

根据本发明，由于还具备向涂敷空间供给惰性气体的第三供给部，因此可通过涂敷空间向连接空间供给惰性气体。此时，对于涂敷空间由于也可成为惰性气体的气体环境，因此在连接空间及涂敷空间中也可使惰性气体的气体环境连续。