[发明专利]涂敷装置无效
申请号: | 201210037512.6 | 申请日: | 2012-02-16 |
公开(公告)号: | CN102646753A | 公开(公告)日: | 2012-08-22 |
发明(设计)人: | 宫本英典 | 申请(专利权)人: | 东京应化工业株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B05D1/02;B05D3/00;B05D3/10;B05D7/24 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 雒运朴 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 | ||
1.一种涂敷装置,其具备:
涂敷部,其对基板涂敷含有易氧化性的金属的液状体;
前处理部,其对涂敷所述液状体之前的所述基板进行前处理;以及
连接部,其具有连接空间,该连接空间对由所述涂敷部涂敷所述液状体的涂敷空间与由所述前处理部进行所述前处理的前处理空间进行连接,所述连接部被设置成可进行调整,使得所述连接空间的气体环境成为惰性气体的气体环境。
2.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备向所述连接空间供应所述惰性气体的第一供给部。
3.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备向所述前处理空间供应所述惰性气体的第二供给部。
4.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备向所述涂敷空间供应所述惰性气体的第三供给部。
5.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备将所述涂敷空间、所述前处理空间及所述连接空间之中的至少一个空间围起来的腔室部。
6.如权利要求5所述的涂敷装置,
所述腔室部具有将所述连接空间围起来的负载锁定腔室。
7.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备对所述涂敷空间、所述前处理空间及所述连接空间之中至少一个空间进行吸引的吸引部。
8.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述涂敷装置还具备在所述涂敷空间、所述前处理空间及所述连接空间之间搬运所述基板的搬送部。
9.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述基板在表面形成有金属。
10.如权利要求1所述的涂敷装置,
所述液状体含有联氨。
11.如权利要求1所述的涂敷装置,
在所述基板上设有背面电极,
所述前处理是从所述背面电极将氧化膜除去的氧化膜除去处理。
12.如权利要求11所述的涂敷装置,
所述氧化膜除去处理包括如下两种处理之中的至少一种处理,其一是用碱性溶液对所述基板的处理,其二是对所述基板使用惰性原子进行溅射的处理。
13.如权利要求12所述的涂敷装置,
用碱性溶液对所述基板的处理包括基于氨水的处理或基于氨蒸汽的处理之中的至少一种。
14.如权利要求1至10之中的任一项所述的涂敷装置,
所述前处理是对所述基板进行清洗的清洗处理。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京应化工业株式会社,未经东京应化工业株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210037512.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的