[发明专利]适用于化学机械抛光的浆料及方法

权利要求书

1.一种化学机械抛光的浆料，其包括：

浆料，其含有分散在去离子水中的研磨料；以及

有机粘度改进剂，所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5～3.2cps的范围内。

2.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂为含有多元醇的脂肪酸酯。

3.如权利要求2所述的浆料，其中该脂肪酸酯粘度改进剂含有甘油。

4.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂为含有聚氧乙烯脱水山梨糖醇的脂肪酸酯。

5.如权利要求1所述的浆料，其中该研磨料包括氧化铈(CeO₂)研磨颗粒。

6.如权利要求1所述的浆料，其中该研磨料包括氧化铝(Al₂O₃)研磨颗粒与蒸气沉积后的氧化铝研磨颗粒之一或两者。

7.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂所添加的量相对于浆料的重量高达10wt％。

8.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为至少1.2cps。

9.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.2～2.2cps的范围内。

10.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.4～2.2cps的范围内。

11.如权利要求1所述的浆料，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为约1.7cps。

12.一种使用化学机械抛光(CMP)浆料的抛光方法，包括：

提供定位的晶圆的抛光目标膜；

将浆料提供至抛光垫，该浆料含有分散在去离子水中的研磨料，和有机粘度改进剂，而所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5～3.2cps的范围内；以及

利用抛光垫来抛光该抛光目标膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中该抛光目标膜含有氧化物膜或多晶硅膜中的一种。

14.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂为含有多元醇的脂肪酸酯。

15.如权利要求14所述的方法，其中该脂肪酸酯含有甘油。

16.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂为含有聚氧乙烯脱水山梨糖醇的脂肪酸酯。

17.如权利要求12所述的方法，其中该研磨料包括氧化铈(CeO₂)研磨颗粒。

18.如权利要求12所述的方法，其中该研磨料包括氧化铝(Al₂O₃)研磨颗粒与蒸气沉积后的氧化铝研磨颗粒之一或两者。

19.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂所添加的量相对于浆料的重量高达10wt％。

20.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为至少1.2cps。

21.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.2～2.2cps的范围内。

22.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为1.4～2.2cps的范围内。

23.如权利要求12所述的方法，其中该粘度改进剂所添加的量使得浆料的粘度调整为约1.7cps。

24.一种使用化学机械抛光浆料的抛光方法，包括：

在半导体基板上形成氮化硅层，该氮化硅层暴露出部份半导体基板；

蚀刻该半导体基板的暴露部分以形成沟槽；

将氧化硅膜填入至该沟槽；

利用抛光垫抛光该氧化硅膜以暴露氮化硅层的表面；

而该抛光垫上施有浆料，该浆料含有分散在去离子水中的研磨料，和有机粘度改进剂，而所添加的粘度改进剂用于将浆料的粘度调整至0.5～3.2cps的范围内。

25.如权利要求24所述的方法，其中该粘度改进剂为含有多元醇的脂肪酸酯。