[发明专利]一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法无效
申请号: | 201210036770.2 | 申请日: | 2012-02-17 |
公开(公告)号: | CN102592701A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 王献辉;张天明;邹军涛;梁淑华;刘马宝;刘启达 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01B1/02 | 分类号: | H01B1/02;H01B13/00;C22C1/02;H01H11/04 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 李娜 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 采用 原位 合成 制备 agtib sub 材料 方法 | ||
技术领域
本发明属于金属材料制备技术领域,具体涉及一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法。
背景技术
AgTiB2银基触头材料具有高导电导热性和良好的耐电弧侵蚀性能,在低压触头材料中有着广泛的应用前景。随着对开关电器的小型化、长寿命和可靠性要求的不断提高,对触头材料的性能提出了越来越高的要求。目前,AgTiB2触头材料主要制备方法是采用传统粉末冶金法,但烧结的产品往往存在致密度不高和组织分布不均匀的问题,影响了材料的导电性和硬度。
发明内容
本发明的目的是提供一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法,解决了现有方法制备的AgTiB2触头材料致密度低,硬度与导电率低的问题。
本发明的技术方案是,一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法,该方法包括以下操作步骤:
步骤1,粉末的配比
按照质量百分比,分别称取1~5%的Ti粉,0.1~5%B粉,其余为Ag粉,以上各组份质量百分比总和为100%,
所述Ti粉的平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%,B粉平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%,Ag粉平均粒径为50~100μm、纯度不低于99.99%;
步骤2,混粉
将步骤1称取好的Ag粉、Ti粉和B粉放入混粉机中,添加无水乙醇混合,混合时间为1~5h;
步骤3,压制
将步骤2混合好的粉末在压力机上进行冷压成型,压强为200~400MPa,保压时间为10~50s,制成压坯;
步骤4,电弧熔炼
将步骤3制备好的压坯放在真空电弧炉中,先对炉内抽真空,保证炉体内的真空度不低于10-3Pa,然后通电开始熔化,熔化的温度为1100℃~1300℃,熔化时间为5~15min,反复熔炼多次后随炉冷却,即得到AgTiB2触头材料。
本发明的特点还在于,
步骤2中无水乙醇添加量为Ag粉、Ti粉和B粉总质量的2%。
步骤3中通过模具控制压坯直径为20~40mm,压坯高度为10~30mm。
步骤4中将压坯熔炼2~6次。
本发明的有益效果是,提高了AgTiB2触头材料的致密度、硬度和导电率,使AgTiB2触头材料具有优良的综合性能。
附图说明
图1是本发明制备方法的流程图;
图2是现有方法制备的AgTiB2触头材料显微组织照片;
图3是本发明实施例1中采用球磨的TiB2粉末制备的AgTiB2触头材料显微组织照片;
图4是现有方法制备的AgTiB2触头材料电弧侵蚀形貌显微组织照片;
图5是本发明实施例1中采用球磨的TiB2粉末制备的AgTiB2触头材料电弧侵蚀形貌显微组织照片。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明提供一种采用原位合成制备AgTiB2触头材料的方法,如图1所示,包括以下操作步骤:
步骤1,粉末的配比
按照质量百分比,分别称取1~5%的Ti粉,0.1~5%B粉,其余为Ag粉,以上各组份质量百分比总和为100%,
所述Ti粉的平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%,B粉平均粒径为1~10μm、纯度不低于99.9%,Ag粉平均粒径为50~100μm、纯度不低于99.99%;
步骤2,混粉
将步骤1称取好的Ag粉、Ti粉和B粉放入混粉机中,并按照Ag粉、Ti粉和B粉总质量的2%添加无水乙醇,混合时间为1~5h;
步骤3,压制
将步骤2混合好的粉末在压力机上进行冷压成型,压强为200~400MPa,保压时间为10~50s,通过模具控制压坯直径为20~40mm,压坯高度为10~30mm;从而保证压坯中粉末的压制均匀;
步骤4,电弧熔炼
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