[发明专利]提高沟渠型场效应管性能的低温工艺有效
| 申请号： | 201210034594.9 | 申请日： | 2012-02-16 |
| 公开（公告）号： | CN102543757A | 公开（公告）日： | 2012-07-04 |
| 发明（设计）人： | 何志;周炳;季安;刘晓萌 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/3105 |
| 代理公司： | 北京中恒高博知识产权代理有限公司 11249 | 代理人： | 夏晏平 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 提高 沟渠 场效应 性能 低温 工艺 | ||
【权利要求书】：
1.一种提高沟渠型场效应管性能的低温工艺，其特征在于，包括以下步骤：
在Si晶片上形成场效应管结构；
在上述场效应管结构的N-区的上面生长或沉积一层氧化物；
通过半导体光刻和刻蚀工艺在上述氧化物上刻蚀出Si槽，并在氧化物上面和Si槽的周边上镀一层铝薄膜, 并在铝膜上生长一层非晶硅薄膜；
在低温条件下退火, 使Si原子将扩散过铝薄, 在Si槽内上形成铝掺杂的P+单晶。
2.根据权利要求1所述的提高沟渠型场效应管性能的低温工艺，其特征在于，所述氧化物厚度在10-1000纳米之间，生长方式为传统的热生长氧化硅, 低压化学沉积(LPCVD)或者等离子化学沉积( PECVD)。
3.根据权利要求1所述的提高沟渠型场效应管性能的低温工艺，其特征在于，所述Al膜厚度在10-1000纳米之间，非晶硅薄膜的厚度在10-1000纳米之间。
4.根据权利要求1所述的提高沟渠型场效应管性能的低温工艺，其特征在于，所述低温条件为200 – 500℃。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
