[发明专利]功率MOS接触孔的制造方法有效
| 申请号： | 201210030429.6 | 申请日： | 2012-02-10 |
| 公开（公告）号： | CN102569180B | 公开（公告）日： | 2016-11-23 |
| 发明（设计）人： | 刘宪周;张怡 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mos 接触 制造 方法 | ||
1.一种功率MOS接触孔的制造方法，所述接触孔为圆孔，该方法包括如下步骤：
S1，准备半导体衬底，所述半导体衬底上已经形成功率MOS；
S2，在所述半导体衬底上沉积介质层；
S3，在介质层上沉积硬掩模层；
S4，对所述硬掩模层进行图案化，以图案化的硬掩膜层为掩模刻蚀介质层，在介质层中形成通孔，并以图案化的硬掩膜层为掩模对半导体衬底进行离子注入；
S5，对上述半导体衬底进行退火工艺；
S6，在通孔内进行导电材料的填充，形成接触孔。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述介质层包括直接沉积在半导体衬底上的层间介质层、沉积在所述层间介质层上的硼磷硅玻璃层。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述层间介质层为采用PECVD或者LPCVD工艺，以TEOS为原料得到的二氧化硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮氧化硅。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述硬掩膜层为氮以及其它离子掺杂的硅玻璃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S4中，注入剂量为5E14～5E16/cm2。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S5中，退火温度为800～1300摄氏度。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤S6中，在通孔内进行导电材料的填充之前，还包括通过氢氟酸浸蘸工艺对通孔的内壁以及通孔底部暴露的半导体衬底进行处理的步骤。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
