[发明专利]将预定元件置于目标平台的装置和方法无效
| 申请号: | 201210029477.3 | 申请日: | 2006-07-31 |
| 公开(公告)号: | CN102969263A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 孔-琛·陈 | 申请(专利权)人: | 温泰克工业有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/68 | 分类号: | H01L21/68;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 预定 元件 置于 目标 平台 装置 方法 | ||
1.一种用于将元件放置在目标平台上的系统,所述元件具有接触阵列并且所述目标平台具有焊接区图案,所述系统包括:
一个或多个对准标记,其与所述元件的所述接触阵列相关联;
一个或多个参考标记,其与所述平台的所述焊接区图案相关联,所述参考标记在与所述一个或多个对准标记的空间关系匹配的预定空间位置处放置在所述元件上;
从在所述元件上的对准标记到与所述元件的所述接触阵列相关联的参考点的相对位移,所述相对位移预存在放置设备中;以及
探头的中心点的中心坐标,所述探头与所述参考标记中的一者对准,所述中心坐标可由所述放置设备检测;
其中,所述元件放置在由被调整了所述相对位移的所述中心坐标确定的位置处。
2.根据权利要求1所述的系统,其中所述探头包括多传感器探头。
3.一种用于放置在目标平台上的元件,所述元件包括:
接触区域,其用于与其他元件交互,所述接触区域配置为与所述目标平台的焊接区图案匹配;
一个或多个对准标记,其设置在相对于所述接触区域的预定空间区域中、用于使所述元件与所述目标平台的所述焊接区图案对准,来自所述一个或多个对准标记的对准标记包括感测区域,所述感测区域被配置为与所述目标平台的参考标记对准、接收信号、并且当与所述参考标记对准时将所述信号耦合到所述参考标记以指示所述接触区域与所述目标平台的所述焊接区图案匹配。
4.根据权利要求3所述的元件包括集成电路器件。
5.根据权利要求3所述的元件包括裸管芯。
6.根据权利要求3所述的元件包括封装芯片。
7.根据权利要求3所述的元件包括堆叠器件。
8.根据权利要求3所述的元件包括层叠有各项异性导电膜的集成电路器件。
9.根据权利要求3所述的元件,其中,所述接触区域是从接触阵列或接触垫的至少一者或任意组合中选取的。
10.根据权利要求3所述的元件,其中,所述感测区域包括光学感测路径。
11.根据权利要求3所述的元件,其中,所述感测区域包括电容感测区域。
12.根据权利要求3所述的元件,其中,所述感测区域包括传导信号路径。
13.一种用于将元件放置在目标平台上的方法,所述元件具有接触阵列并且所述目标平台具有焊接区图案,所述方法包括以下步骤:
设置与所述元件的所述接触阵列相关联的一个或多个对准标记;
在与所述一个或多个对准标记的空间关系匹配的预定空间位置处、将与所述平台的所述焊接区图案相关联的一个或多个参考标记放置在所述元件上;
将从在所述元件上的对准标记到与所述元件的所述接触阵列相关联的参考点的相对位移预存在放置设备中;以及
通过所述放置设备检测与所述参考标记中的一者对准的探头的中心点的中心坐标;
其中,所述元件放置在由被调整了所述相对位移的所述中心坐标确定的位置处。
14.根据权利要求13所述的方法,其中,所述探头包括多传感器探头。
15.一种用于将元件放置在目标平台上的方法,所述方法包括以下步骤:
构成所述元件的与所述目标平台的焊接区图案匹配的接触区域,以用于与其他元件交互;
在相对于所述接触区域的预定空间位置中设置所述元件的一个或多个对准标记,以用于使所述元件与所述目标平台的所述焊接区图案对准;
构成来自所述元件的所述一个或多个对准标记的对准标记的感测区域,以用于与所述目标平台的参考标记对准、接收信号、并且当与所述参考标记对准时将所述信号耦合到所述参考标记以指示所述接触区域与所述目标平台的所述焊接区图案匹配。
16.根据权利要求15所述的方法,其中, 所述元件包括集成电路器件。
17.根据权利要求15所述的方法,其中,所述元件包括裸管芯。
18.根据权利要求15所述的方法,其中,所述元件包括封装芯片。
19.根据权利要求15所述的方法,其中,所述元件包括堆叠器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





