[发明专利]非搭接一体式电容触摸屏及其制造方法无效
申请号: | 201210028570.2 | 申请日: | 2012-02-09 |
公开(公告)号: | CN102591543A | 公开(公告)日: | 2012-07-18 |
发明(设计)人: | 曹晓星 | 申请(专利权)人: | 深圳市宝明科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/044 | 分类号: | G06F3/044 |
代理公司: | 广东国晖律师事务所 44266 | 代理人: | 赵琼花 |
地址: | 518000 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非搭接一 体式 电容 触摸屏 及其 制造 方法 | ||
1.一种非搭接一体式电容触摸屏,其特征在于:包括透明基板,依次层叠于透明基板的黑色树脂层、ITO电极、金属电极及绝缘层;所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极,具有规则图形结构;ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成,ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面,相互独立,相互绝缘,交错设计;所述透明基板包括视窗区和非视窗区,黑色树脂层分布在显示屏非视窗区。
2.如权利要求1所述的非搭接一体式电容触摸屏,其特征是:所述的透明基板为厚度在0.5mm~2.0mm的化学强化玻璃基板或树脂材料基板;所述ITO电极规则结构为三角形,或条形,或椭圆形。
3.如权利要求2所述的非搭接一体式电容触摸屏,其特征是:所述的黑色树脂层厚度为0.3um~5um;ITO电极层厚度为50~2000埃米,面电阻为10~430欧姆;金属电极厚度为500埃米~4000埃米;绝缘层厚度为0.5~3um。
4.如权利要求3所述的非搭接一体式电容触摸屏,其特征是:
所述的金属电极的金属膜层为MoNb,AlNd,MoNb堆积而成的三明治结构,三者厚度按50埃米~500埃米:500埃米~3000埃米:50埃米~500埃米比例搭配,其中MoNb合金材料中Mo和Nb质量比为85~95:5~15,AlNd合金材料中Al和Nd质量比为95~98:2~5。
5.如权利要求4所述的非搭接一体式电容触摸屏,其特征是:
所述的ITO包括In2O3和SnO2,其质量比为85~95:5~15。
6.一种制备非搭接一体式电容触摸屏的方法,包括步骤:
黑色树脂层的形成:将黑色树脂经过旋转涂布方式或刮式涂布方式均匀涂布在透明基板上,涂布厚度为0.3um~5um,经过加热器预烤,曝光,显影,使之形成所需之黑色树脂区域;
所述黑色树脂是感光性保护层光阻剂,所述光阻剂包括亚克力树脂,环氧树脂,负性感光剂,乙酸丙二醇单甲基醚酯及黑色颜料;其比例为树脂类:乙酸丙二醇单甲基醚酯:黑色颜料及负性感光剂=15~30:60~80:1~10;
ITO电极层的形成:
形成黑色树脂层的透明基板,经过ITO镀膜,使在玻璃基板上形成一层透明及厚度均匀的ITO膜层,其厚度为50~2000埃米,面电阻为10~430欧姆;
经过ITO镀膜的透明基板,在其ITO表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料,光阻涂布厚度为1um~5um;
经过光阻预烤,曝光,显影,蚀刻,脱光阻膜,最终形成厚度为50~2000A,面电阻为10~430欧姆,及规则ITO图案或电极;
所述的ITO电极为水平方向或垂直方向导通电极,具有规则图形结构;ITO电极为ITO导通电极1与ITO导通电极2组成,ITO导通电极1与ITO导通电极2在同一层面,相互独立,相互绝缘,交错设计;
金属电极层形成:
形成ITO层的透明基板,经过金属镀膜,使之在透明基板上形成一层厚度均匀的金属膜层,其厚度为500~4000埃米;
经过金属镀膜的透明基板,在其金属表面涂布一层厚度均匀的正性光阻材料,光阻涂布厚度为1um~5um;
经过光阻预烤,曝光,显影,蚀刻,脱光阻膜,最终形成厚度为500~4000埃米及规则金属图案或电极;
绝缘层的形成:
经过金属电极后的透明基板,在其金属膜面涂布一层厚度均匀的负性光阻材料,光阻涂布厚度为0.5um~3um;
经过光阻预烤,曝光,显影,最终形成厚度为0.5~3um和规则的绝缘层图案。
7.如权利要求6所述的制备非搭接一体式电容触摸屏的方法,其特征是:所述的透明基板为厚度在0.5~2.0毫米的化学强化玻璃基板或树脂材料基板;所述的ITO包括In2O3和SnO2,其质量比为85~95:5~15。
8.如权利要求7所述的制备非搭接一体式电容触摸屏的方法,其特征是:
所述的正性光阻材料主成分为乙酸丙二醇单甲基醚酯,环氧树脂及正性感光剂;负性光阻材料主成分为乙酸丙二醇单甲基醚酯,亚克力树脂,环氧树脂及负性感光剂。
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