[发明专利]用于引线键合的加热块无效
申请号: | 201210026486.7 | 申请日: | 2012-02-07 |
公开(公告)号: | CN102569135A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 张成敬 | 申请(专利权)人: | 三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;韩芳 |
地址: | 215021 江苏省苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 引线 加热 | ||
1.一种用于引线键合的加热块,将要被键合的芯片和引线框架放置在所述加热块上,其特征在于:所述加热块具有第一表面和围绕所述第一表面且高于所述第一表面的第二表面,所述将要被键合的芯片位于所述第一表面上,所述引线框架位于所述第二表面上,其中,所述加热块设置有进气口和与进气口流体连通的气体通道以及出气口,使得保护气体经所述进气口通过所述气体通道进入键合区域然后经所述出气口排到所述加热块的外部。
2.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于所述气体通道设置在所述加热块的内部并位于所述第二表面下方。
3.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于通过设置在所述加热块外部的气体源提供所述保护气体。
4.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于所述进气口设置在所述加热块的侧面。
5.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于所述进气口设置在所述加热块的背面。
6.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于所述出气口至少为两个,并且对称地布置在所述加热块的外围。
7.根据权利要求1所述的用于引线键合的加热块,其特征在于所述保护气体为氮气或者氮气和氢气的混合气。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社,未经三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造