[发明专利]有机发光显示装置有效
申请号: | 201210025065.2 | 申请日: | 2012-02-01 |
公开(公告)号: | CN102694129B | 公开(公告)日: | 2017-04-12 |
发明(设计)人: | 瓦勒瑞·普鲁申斯基;莱恩·卡普兰;郑世镐;玄元植;郑炳成;马壮锡 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司11204 | 代理人: | 余朦,王艳春 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示装置 | ||
1.有机发光显示装置,包括:
第一衬底;
第二衬底,设置为面对所述第一衬底;
第一电极,设置在所述第一衬底与所述第二衬底之间;
第二电极,设置为面对所述第一电极;以及
有机发光层,设置在所述第一电极与所述第二电极之间,
其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是反射电极,在所述反射电极的表面上形成光学性质修改层,所述光学性质修改层具有由所述反射电极的光学性质修改的至少一个光学性质。
2.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光学性质修改层具有比所述反射电极低的反射率。
3.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光学性质修改层具有比所述反射电极高的光吸收率。
4.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质是选自由透射率、折射率、衍射率和颜色构成的组中的一种,而且所述光学性质修改层的所述至少一个光学性质不同于所述反射电极的光学性质。
5.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光学性质修改层是通过向所述反射电极施加至少一次飞秒持续时间激光束脉冲而形成的。
6.如权利要求5所述的有机发光显示装置,其中通过所述飞秒持续时间激光束修改的所述光学性质修改层的区域具有纳米级尺寸或微米级尺寸。
7.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述光学性质修改层形成在所述反射电极面对所述有机发光层的表面上。
8.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中从所述有机发光层发射的光朝向所述第二衬底发射,
所述光学性质修改层形成在所述第一电极面对所述有机发光层的表面上,而且
阻光层进一步形成在所述第一衬底与所述有机发光层之间。
9.如权利要求8所述的有机发光显示装置,进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管和连接至所述至少一个薄膜晶体管的至少一个接线部,其中
所述至少一个薄膜晶体管和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间,而且
所述阻光层形成在所述至少一个薄膜晶体管与所述第一电极之间,或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
10.如权利要求9所述的有机发光显示装置,其中所述阻光层形成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
11.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中从所述有机发光层发射的光朝向所述第一衬底发射,而且
所述光学性质修改层形成在所述第二电极更靠近所述有机发光层的表面上,而且
阻光层进一步形成在所述第一衬底与所述第一电极之间。
12.如权利要求11所述的有机发光显示装置,进一步包括连接至所述第一电极的至少一个薄膜晶体管和连接至所述至少一个薄膜晶体管的至少一个接线部,其中
所述至少一个薄膜晶体管和所述至少一个接线部形成在所述第一衬底与所述第二衬底之间,而且
所述阻光层形成在所述至少一个薄膜晶体管与所述第一电极之间或者形成在所述至少一个接线部与所述第一电极之间。
13.如权利要求12所述的有机发光显示装置,其中所述阻光层形成在未形成所述光学性质修改层的区域上。
14.如权利要求1所述的有机发光显示装置,其中所述第一电极和所述第二电极中的至少一个电极是透明电极,而且至少一个透明干涉层进一步形成在所述透明电极的表面上,外部光通过所述透明电极的表面入射。
15.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其中所述透明干涉层具有与所述外部光的1/4波长相等的厚度。
16.如权利要求14所述的有机发光显示装置,其中所述透明干涉层具有比所述透明衬底的折射率小的折射率。
17.如权利要求16所述的有机发光显示装置,其中所述透明干涉层包括选自由氟化镁、二氧化硅和高折射透明材料构成的组中的至少一种材料。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
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