[发明专利]对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统有效
申请号: | 201210021231.1 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN103226524B | 公开(公告)日: | 2017-07-04 |
发明(设计)人: | 迟志刚 | 申请(专利权)人: | 上海华虹集成电路有限责任公司 |
主分类号: | G06F13/16 | 分类号: | G06F13/16;G06F12/06 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人: | 戴广志 |
地址: | 201203 上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | nandflash 进行 统一管理 fifo 结构 | ||
技术领域
本发明涉及与非型闪存领域,特别是涉及一种对Nandflash(与非型闪存)的坏块和空块进行统一管理的FIFO(先进先出)系统。
背景技术
Nandflash在最近几年里得到了突飞猛进的发展,由SLC(1位/单元)技术发展到了MLC(多位/单元)技术,同时Nandflash的生产工艺也不断进步。随着技术的发展,Nandflash容量不断增大,单位容量的成本也大幅降低,应用Nandflash的领域也越来越多。
对Nandflash的空物理块(以下简称“空块”)和坏物理块(以下简称“坏块”)的管理是Nandflash应用中必须要解决的问题。空块管理要做到尽量平衡的使用各个空块,避免重复使用某些物理块以致其过快损耗。坏块管理要将坏块排除在可使用的范围之外,避免用户数据写入到坏块当中。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统,既能节省存储空间,又能节省时间。
为解决上述技术问题,本发明的对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统,包括:读指针、写指针和FIFO存储单元;
对所述先进先出FIFO系统初始化并将其存放在所述与非型闪存Nandflash的固定空间,系统上电时,将FIFO系统从Nandflash中读取到系统内存内;
当系统需要一个空物理块(即空块)时,从FIFO存储单元中读出一个空的物理块,且读指针加1;若读出的是坏物理块(即坏块),将该坏块中的有效数据搬移走之后,则将该坏块的编号重新写回到所述先进先出FIFO存储单元中,并置位该坏块的坏块标记为1,且写指针加1,再将读指针加1,然后继续读FIFO存储单元,直到读出一个空物理块为止;
当系统进行垃圾块回收操作擦除完一个物理块,产生新空块后,将该新空块的编号写入到FIFO存储单元中,写指针加1。
当系统发现一个坏物理块,并将坏块中的有效数据搬移走之后,将该坏物理块的编号写入到FIFO存储单元中,并置位该坏块的坏块标记为1,写指针加1。
当系统停止工作时,要把所述FIFO结构写回到Nandflash中的指定空间。
本发明采用FIFO系统对Nandflash中的坏物理块和空物理块进行统一管理,既可节省空物理块管理表和坏物理块管理表存储空间,又可节省空物理块管理表和坏物理块管理所花费的时间。
附图说明
下面结合附图与具体实施方式对本发明作进一步详细的说明:
附图是对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统示意图。
具体实施方式
结合附图所示,所述对Nandflash的坏块和空块进行统一管理的FIFO系统,包括:读指针、写指针和FIFO存储单元。
所述FIFO存储单元的深度为Nandflash所含物理块数。
所述FIFO系统的初始化在第一次使用Nandflash时进行,系统遍历每一个物理块,检查其是否为坏块,若是坏块,则将其编号写入FIFO存储单元,同时坏块标记置为1;若是好的物理块(即空块),则将其编号写入FIFO存储单元,同时坏块标记置为0。初始化完成后,再将FIFO结构的读指针和写指针同时指向第一个好的物理快。
所述FIFO系统的读操作在系统需要一个空物理块时发生。读操作直接读取当前读指针对应的物理块,若该物理块的坏块标记为0,则FIFO结构的读操作完成,读指针加1;若该物理块的坏块标记为1,则需要先将该坏块的编号重新写回到FIFO存储单元中,且写指针加1,然后再将读指针加1,重复读操作,直到读到好的物理块(空块)为止。
所述FIFO系统的写操作在以下三种情形下发生:
垃圾块回收操作完成后,将回收的空物理块编号写入FIFO存储单元,写指针加1。
发现坏物理块后,将坏物理块编号写入FIFO存储单元,置其坏块标记为1,写指针加1。
读操作读出坏块时,要马上将坏物理块编号写回到FIFO存储单元中,写指针加1。
以上通过具体实施方式对本发明进行了详细的说明,但这些并非构成对本发明的限制。在不脱离本发明原理的情况下,本领域的技术人员还可做出许多变形和改进,这些也应视为本发明的保护范围。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司,未经上海华虹集成电路有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210021231.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:基于Nandflash的双端口存储器电路
- 下一篇:一种防割服