[发明专利]阴影掩膜及其补偿设计方法

说明书

技术领域

本发明有关于掩膜的补偿设计方法，且特别是有关于阴影掩膜的补偿设计方法。

背景技术

现今液晶显示器的工艺多以微影蚀刻的方式于玻璃基板上成膜，以于玻璃基板上制作主动或被动元件。由于以微影蚀刻的方式成膜的成本相当高且耗时，因此，为加快生产速度及降低制作成本，业界发展出以溅镀法搭配阴影掩膜的方式成膜，以直接于玻璃基板上制作出图案化的薄膜。然而，使用阴影掩膜制作出的薄膜图案具有解析度不高及线宽变异大的缺点，因此只适用于图样精细度要求低的保护层及钝化层。

当应用阴影掩膜成膜的方式于尺寸较小的玻璃基板(小于3.5代)上时，镀膜误差尚在可接受范围。然而，当玻璃基板的尺寸越来越大时(大于3.5代)，镀膜过程中因机构与温度造成的玻璃变形量也随之增加。大尺寸玻璃基板的变形会造成阴影掩膜遮蔽精度下降，以致于薄膜图案解析度下降且线宽变异升高至超过可容忍值。因此，需要发展新的技术以使大尺寸的玻璃基板也可使用阴影掩膜成膜技术。

发明内容

本发明一实施例提供一种阴影掩膜的补偿设计方法，包括：设置一第一阴影掩膜于一基板上，该第一阴影掩膜具有一第一实体图案以及与该第一实体图案互补的一第一开口图案，该第一实体图案遮蔽该基板的一第一预定镀膜开口区，该第一预定镀膜开口区具有在一轴上相对的一第一侧与一第二侧；以该第一阴影掩膜为遮罩进行一沉积工艺，以于该基板上形成一镀膜，该镀膜具有一位于该第一实体图案下方的第一开口，其中该第一开口具有在该轴上相对的一第三侧与一第四侧，该第一侧与该第三侧相邻，该第二侧与该第四侧相邻，其中该第三侧相对于该第一侧的距离差为一第一偏差，该第二侧相对于该第四侧的距离差为一第二偏差，该第一开口相对于该第一预定镀膜开口区的一第一单侧扩散距离为该第一偏差与该第二偏差之和的二分之一；以及依照该第一单侧扩散距离设计一相似但不同于该第一阴影掩膜的第二阴影掩膜，该第二阴影掩膜具有一第二实体图案以及与该第二实体图案互补的一第二开口图案，其中该第二开口图案的大小不同于该第一开口图案。

本发明另一实施例提供一种阴影掩膜，包括：一实体图案以及一与该实体图案互补的开口图案，其中该实体图案包括呈阵列排列的多个图案单元，所述图案单元至少包括一第一图案单元与一第二图案单元，该第一图案单元具有一第一基本图案以及一自该第一基本图案的边缘沿一轴朝向该开口图案延伸的第一补偿图案，该第二图案单元具有一第二基本图案以及一自该第二基本图案的边缘沿该轴朝向该开口图案延伸的第二补偿图案，其中该第一基本图案与该第二基本图案的形状与大小皆相同，该第一补偿图案的延伸距离不等于该第二补偿图案的延伸距离。

本发明的镀膜可不受薄膜扩散特性的影响，进而具有较佳的图案解析度与较低的线宽变异。

附图说明

图1至图3绘示本发明多个实施例的阴影掩膜的第一开口图案与实际成膜图案的上视图。

图4A至图4D绘示本发明一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。

图5A至图5D分别绘示图4A至图4D的阴影掩膜与基板的上视图。

图6A至图6D绘示本发明另一实施例的阴影掩膜的补偿设计方法的流程剖面图。

图7A至图7D分别绘示图6A至图6D的阴影掩膜与基板的上视图。

图8A至图8C绘示本发明一实施例的镀膜工艺的示意图，其中图8A与图8C为上视图，图8B为剖面图。

图9绘示本发明另一实施例的阴影掩膜的上视图。

附图标号：

800～阴影掩膜；

A1～第一实体图案；

A2～第二实体图案；

A8～实体图案；

A41～第一实体图案；

A811、A911～第一基本图案；

A812、A912～第一补偿图案；

A42～第二实体图案；

A421、A621、A821～基本图案、第二基本图案；

A421a～边缘；

A422、A622、A822～补偿图案、第二补偿图案；

A61～第一图案；

A62～第二图案；

A63～第一边缘图案；

A64～第三边缘图案；

A65～第二边缘图案；

A651～第二基本图案；

A652～第二补偿图案；

A66～第四边缘图案；

A661～第三基本图案；

A662～第三补偿图案；

AX～轴；

B1、B41、B61～第一侧；