[发明专利]一种回旋流非接触气爪夹持装置无效
申请号: | 201210020940.8 | 申请日: | 2012-01-31 |
公开(公告)号: | CN102569149A | 公开(公告)日: | 2012-07-11 |
发明(设计)人: | 梁冬泰;路波;李建强;许栋明;居晓峰;林金伟 | 申请(专利权)人: | 宁波大学 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;B65G47/91 |
代理公司: | 宁波市天晟知识产权代理有限公司 33219 | 代理人: | 张文忠 |
地址: | 315211 浙江省宁波市风华路818号*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 回旋 接触 夹持 装置 | ||
1.一种回旋流非接触气爪夹持装置,包括整体结构为圆柱体的装置本体,其特征是:所述的装置本体包括制有主进气腔(1a)的安装座体(1)和与安装座体(1)底部圆平面(11)固定连接的气爪主体(2);所述气爪主体(2)的上部和下部等弧度等数量分别均布制有构成气爪外围层的第一回旋流腔(21a)和构成气爪内围层的第二回旋流腔(23a),气爪主体(2)内部分别制有能与每个第一回旋流腔(21a)和每个第二回旋流腔(23a)相切连通的第一导气通道和第二导气通道,并且两相邻的第一回旋流腔(21a)以及两相邻的第二回旋流腔(23a)的进气方向均相反,所述气爪主体(2)内中部制有径向连通外界的下凹排气区,下凹排气区沿气爪主体(2)的轴心向下贯通制有排气通道,气爪主体(2)下端面与每个第一回旋流腔(21a)同轴对应制有轴向延伸至中部构成气爪外围环形负压真空吸引区域的负压吸引通道,第一回旋流腔(21a)与负压吸引通道的对应连接间留有连通下凹排气区的排气间隙,所述第二回旋流腔(23a)贯通气爪主体(2)的下端面构成气爪内围环形正压排斥区,所述安装座体(1)底部圆平面(11)分别制有连通第一导气通道与主进气腔(1a)的第一导气孔(1b)和连通第二导气通道与主进气腔(1a)的第二导气孔(1c)。
2.根据权利要求1所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的气爪主体(2)由三片圆形硅材料加工制作的上气爪层(21)、中气爪层(22)和下气爪层(23)组合构成,并且上气爪层(21)、中气爪层(22)和下气爪层(23)之间采用硅-硅阳极键合技术固定相粘接。
3.根据权利要求2所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的安装座体(1)为铝材料加工制作的具有一端开口构成主进气腔(1a)的空心柱形体,所述主进气腔(1a)的内壁制有方便于外部管路连接的内螺纹,安装座体(1)的底部圆平面(11)与气爪主体(2)上气爪层(21)的上端面采用铝-硅阳极键合技术固定相粘接。
4.根据权利要求3所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的上气爪层(21)和下气爪层(23)分别贯通制有构成六个第一回旋流腔(21a)的上通孔和构成六个第二回旋流腔(23a)的下通孔,所述负压吸引通道由分别贯通下气爪层(23)和中气爪层(22)的负压吸引孔(23e)和吸引过渡孔(22a)组成,所述第一回旋流腔(21a)的下端口和吸引过渡孔(22a)的上端口之间留有的距离构成了第一回旋流腔(21a)留有的排气间隙。
5.根据权利要求4所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的中气爪层(22)的上表面制有带有六个径向排气通道(221a)的下凹区(221),所述下凹区(221)与上气爪层(21)的下表面合围的空间构成了上述连通外界的下凹排气区,所述两相邻的径向排气通道(221a)间形成有与上气爪层(21)粘接相连的梯形凸台(222),所述每个径向排气通道(221a)均经过相应的吸引过渡孔(22a)的轴心线。
6.根据权利要求5所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的第一导气通道由上气爪层(21)上表面制有的下凹孔(21b)和下凹槽(21c)组成,所述下凹槽(21c)的出气端与第一回旋流腔(21a)相切连通,下凹槽(21c)的进气端连接下凹孔(21b),所述下凹孔(21b)与安装座体(1)的第一导气孔(1b)相连通。
7.根据权利要求6所述的一种回旋流非接触气爪夹持装置,其特征是:所述的第二导气通道由上气爪层(21)和中气爪层(22)同轴贯通制有的上层进气孔(21d)和中层导气过渡孔(22b)以及下气爪层(23)上表面制有的下凹腔(23b)和下凹导气槽(23c)共同组成;所述下凹导气槽(23c)与第二回旋流腔(23a)相切连通,下凹导气槽(23c)的另一端依次与下凹腔(23b)、中层导气过渡孔(22b)和上层进气孔(21d)相连通,所述上层进气孔(21d)经第二导气孔(1c)与主进气腔(1a)相连通,所述中层导气过渡孔(22b)穿设在中气爪层(22)的梯形凸台(222)上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造